Ingatan

FM22LD16-55-BGTR

bahagian bahagian: 2676

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

S99-50423 P

bahagian bahagian: 5526

CY7C1061GE18-15ZSXIT

bahagian bahagian: 2936

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1061G-10ZSXI

bahagian bahagian: 2703

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY14V104LA-BA45XIT

bahagian bahagian: 2841

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S99FL164KMN13

bahagian bahagian: 5610

S99AL016D

bahagian bahagian: 591

CY7C1370KV25-167AXC

bahagian bahagian: 2776

CY7C1319KV18-250BZXC

bahagian bahagian: 2698

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

S4013001270B0C010

bahagian bahagian: 211

QMP29GL064A90TFIR90H

bahagian bahagian: 9861

S29WS128N0LBFW012

bahagian bahagian: 10004

S70PL254J00BFWA23

bahagian bahagian: 6504

S99AL004D

bahagian bahagian: 521

CY7C1911KV18-300BZXC

bahagian bahagian: 2701

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (2M x 9), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1383KV33-133AXC

bahagian bahagian: 2867

S29PL064J55BAI120

bahagian bahagian: 5670

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64M (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

S99LV001B

bahagian bahagian: 733

S99FL132KMN4

bahagian bahagian: 5562

CY7C09179V-12AXC

bahagian bahagian: 2474

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Synchronous, Saiz Ingatan: 288Kb (32K x 9), Kekerapan Jam: 50MHz,

CY7C1061GE18-15ZXIT

bahagian bahagian: 2953

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

S29WS128N0PBAW012

bahagian bahagian: 10031

CY7C1061GE-10BVJXI

bahagian bahagian: 2779

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1061GE18-15BV1XIT

bahagian bahagian: 2992

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

S70GL02GP11FAIR10

bahagian bahagian: 1870

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

S99PL032J0029

bahagian bahagian: 5936

S70WS512N00BFWAB0

bahagian bahagian: 362

S99FL032A0LMFI003

bahagian bahagian: 9582

CY14V104LA-BA25XI

bahagian bahagian: 3027

S99PL127J0070

bahagian bahagian: 6310

CY7C1371KVE33-133AXI

bahagian bahagian: 2603

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1061GN30-10ZXI

bahagian bahagian: 2646

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

E11043000

bahagian bahagian: 5573

CY14B101LA-SZ25XI

bahagian bahagian: 2633

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S70PL512N00HFW533

bahagian bahagian: 5049

CY7C1380DV33-200BZI

bahagian bahagian: 2467

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,