Ingatan

CY14B104M-ZSP45XIT

bahagian bahagian: 3588

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

IS29GL128S-10DHB02-TR

bahagian bahagian: 812

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CP5884AF

bahagian bahagian: 519

IS29GL256S-10TFV02

bahagian bahagian: 7759

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8310AAT

bahagian bahagian: 1619

CG8690AAT

bahagian bahagian: 2384

S25FL128P0XMFI001M

bahagian bahagian: 925

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3µs,

CG8096AAT

bahagian bahagian: 2244

CY15B102Q-SXE

bahagian bahagian: 5725

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 25MHz,

CY14E256LA-SZ45XI

bahagian bahagian: 4037

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CG8276AA

bahagian bahagian: 41812

CG8200AA

bahagian bahagian: 10027

IS29GL128S-10TFV01-TR

bahagian bahagian: 7603

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S25FL129P0XMFI001M

bahagian bahagian: 1036

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

S25FL129P0XNFI000M

bahagian bahagian: 1276

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

CY14B101KA-SP25XIT

bahagian bahagian: 4093

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

IS29GL128S-10TFV02

bahagian bahagian: 7623

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1371KV33-100AXCT

bahagian bahagian: 3583

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY7C09349AV-12AXC

bahagian bahagian: 3780

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Synchronous, Saiz Ingatan: 72Kb (4K x 18), Kekerapan Jam: 50MHz,

CY7C1314KV18-250BZCT

bahagian bahagian: 3759

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1051DV33-12ZSXIT

bahagian bahagian: 4019

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

CY14B101NA-ZS25XI

bahagian bahagian: 3423

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

IS29GL256S-10DHB01

bahagian bahagian: 7642

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S30MS01GR25TFW100

bahagian bahagian: 8513

S99FL128P0XMFI001

bahagian bahagian: 2144

CY14B101LA-SZ25XIT

bahagian bahagian: 3818

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

IS29GL512S-11TFV02-TR

bahagian bahagian: 7893

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S30MS01GR25TFW110

bahagian bahagian: 8595

IS29GL512S-11DHV02

bahagian bahagian: 9085

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

IS29GL128S-10DHV01

bahagian bahagian: 7579

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY14B104LA-BA45XIT

bahagian bahagian: 3833

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CG8606AAT

bahagian bahagian: 2043

CG8402AAT

bahagian bahagian: 1665

CG8371AA

bahagian bahagian: 481

CG8265AAT

bahagian bahagian: 298

CY14B101LA-ZS25XI

bahagian bahagian: 3420

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,