Ingatan

M29W400BT70N6

M29W400BT70N6

bahagian bahagian: 8947

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46H8M16LFCF-10 IT

MT46H8M16LFCF-10 IT

bahagian bahagian: 6354

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48H8M32LFB5-8 TR

MT48H8M32LFB5-8 TR

bahagian bahagian: 1081

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR

bahagian bahagian: 94

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT46V8M16P-6TIT:DTR

MT46V8M16P-6TIT:DTR

bahagian bahagian: 9198

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
M29W160EB70N6E

M29W160EB70N6E

bahagian bahagian: 43101

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46V32M16FN-6 IT:F

MT46V32M16FN-6 IT:F

bahagian bahagian: 7126

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F4G08BBBWP TR

MT29F4G08BBBWP TR

bahagian bahagian: 6014

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
MT44K32M36RB-093E:A TR

MT44K32M36RB-093E:A TR

bahagian bahagian: 914

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT46V32M16TG-5B:F

MT46V32M16TG-5B:F

bahagian bahagian: 2799

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
M25P10-AVMP6T TR

M25P10-AVMP6T TR

bahagian bahagian: 7661

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 50MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

Senarai harapan
MT46V32M16P-6T L:F TR

MT46V32M16P-6T L:F TR

bahagian bahagian: 2766

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D TR

MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D TR

bahagian bahagian: 46

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
RC28F160C3TD70A

RC28F160C3TD70A

bahagian bahagian: 7283

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT28F320J3RG-11 ET TR

MT28F320J3RG-11 ET TR

bahagian bahagian: 10057

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT53D384M64D4SB-046 XT:E

MT53D384M64D4SB-046 XT:E

bahagian bahagian: 125

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MT46V32M16FN-5B:F

MT46V32M16FN-5B:F

bahagian bahagian: 7063

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

bahagian bahagian: 1044

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT48V8M32LFB5-8 TR

MT48V8M32LFB5-8 TR

bahagian bahagian: 2257

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR

MT48LC8M32LFB5-8 IT TR

bahagian bahagian: 1982

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
PC28F160C3TD70A

PC28F160C3TD70A

bahagian bahagian: 9749

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46V16M8P-6T IT:D TR

MT46V16M8P-6T IT:D TR

bahagian bahagian: 8877

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8BN-5B:F TR

MT46V64M8BN-5B:F TR

bahagian bahagian: 9221

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR

MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 129

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
M29F016D70N6

M29F016D70N6

bahagian bahagian: 8720

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
PC28F640P30B85A

PC28F640P30B85A

bahagian bahagian: 9612

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
JS28F320C3BD70A

JS28F320C3BD70A

bahagian bahagian: 9808

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46V8M16TG-6T:D TR

MT46V8M16TG-6T:D TR

bahagian bahagian: 932

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MTFC128GAOAMEA-WT TR

MTFC128GAOAMEA-WT TR

bahagian bahagian: 125

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

bahagian bahagian: 1102

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D

bahagian bahagian: 127

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT46V32M4P-6T:D TR

MT46V32M4P-6T:D TR

bahagian bahagian: 7852

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F4G08BABWP TR

MT29F4G08BABWP TR

bahagian bahagian: 6057

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
MT46V16M16BG-5B:F TR

MT46V16M16BG-5B:F TR

bahagian bahagian: 9309

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H16M16BG-37V:B

MT47H16M16BG-37V:B

bahagian bahagian: 8367

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan