Ingatan

MTFC32GAKAENA-4M IT TR

bahagian bahagian: 4886

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

bahagian bahagian: 35

M58LT128HST8ZA6F TR

bahagian bahagian: 2608

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

bahagian bahagian: 66

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR

bahagian bahagian: 69

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

bahagian bahagian: 51

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 768Gb (96G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53D512M32D2DS-053 WT:D

bahagian bahagian: 39

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

bahagian bahagian: 2227

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

bahagian bahagian: 117

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

bahagian bahagian: 28

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 44

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

bahagian bahagian: 94

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT49H16M36SJ-25E:B

bahagian bahagian: 1561

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MTFC32GAPALBH-AAT TR

bahagian bahagian: 107

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GJWDQ-4L AIT Z

bahagian bahagian: 8056

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT44K32M18RB-107E:B

bahagian bahagian: 112

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 933MHz,

MTFC64GAOAMEA-WT

bahagian bahagian: 81

MT44K16M36RB-093F:B TR

bahagian bahagian: 1224

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A

bahagian bahagian: 2556

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT48LC8M32B2B5-7 TR

bahagian bahagian: 2317

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

bahagian bahagian: 88

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT45W4MW16BFB-706 WT F

bahagian bahagian: 2364

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

bahagian bahagian: 132

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

bahagian bahagian: 2146

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

bahagian bahagian: 73

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT51K256M32HF-60 N:B

bahagian bahagian: 34

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

bahagian bahagian: 120

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

bahagian bahagian: 61

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

bahagian bahagian: 2531

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

bahagian bahagian: 63

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

bahagian bahagian: 85

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E

bahagian bahagian: 107

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

bahagian bahagian: 7307

MT53D256M64D4NY-046 XT:B

bahagian bahagian: 99

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A2G8NRE-083E:B

bahagian bahagian: 42

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR

bahagian bahagian: 1487

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),