Ingatan

EDFP164A3PD-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 1698

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D

bahagian bahagian: 58

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT40A2G8NRE-083E:B TR

bahagian bahagian: 1094

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D

bahagian bahagian: 1735

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MTFC32GAPALBH-AAT

bahagian bahagian: 73

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT49H16M36SJ-18:B TR

bahagian bahagian: 1401

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

bahagian bahagian: 2142

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MTFC32GJGDQ-AIT Z

bahagian bahagian: 41

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR

bahagian bahagian: 1875

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC32GJGEF-AIT Z TR

bahagian bahagian: 1492

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GJWDQ-4M AIT Z

bahagian bahagian: 8125

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

M28W160CB70N6F TR

bahagian bahagian: 38274

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A

bahagian bahagian: 60

MT49H16M18CSJ-25 IT:B

bahagian bahagian: 2177

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29E256G08CECCBH6-6:C

bahagian bahagian: 2050

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53B256M64D2TP-062 XT:C

bahagian bahagian: 2140

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC64GAPALBH-AIT

bahagian bahagian: 101

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MTFC64GAOAMEA-WT TR

bahagian bahagian: 78

MTFC32GAKAEEF-AAT TR

bahagian bahagian: 84

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT40A1G16WBU-083E:B

bahagian bahagian: 82

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (1G x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT44K16M36RB-093F:B

bahagian bahagian: 77

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR

bahagian bahagian: 2243

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR

bahagian bahagian: 1062

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 768Gb (96G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MTFC64GAPALBH-AAT TR

bahagian bahagian: 59

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A

bahagian bahagian: 1297

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT40A4G4NRE-083E:B

bahagian bahagian: 64

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 130

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR

bahagian bahagian: 72

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B

bahagian bahagian: 66

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F64G08AECABH1-10Z:A

bahagian bahagian: 1422

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR

bahagian bahagian: 2132

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC32GAKAEDQ-AAT TR

bahagian bahagian: 121

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

bahagian bahagian: 50

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC32GJWDQ-4L AIT Z TR

bahagian bahagian: 1468

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

bahagian bahagian: 98

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT44K32M18RB-093E:B TR

bahagian bahagian: 1344

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 1067MHz,