Ingatan

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

bahagian bahagian: 94

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MTFC32GAKAEEF-AAT

MTFC32GAKAEEF-AAT

bahagian bahagian: 68

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

Senarai harapan
MT44K32M18RB-107E:B TR

MT44K32M18RB-107E:B TR

bahagian bahagian: 1686

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MTA4ATF51264AZ-2G6E1

MTA4ATF51264AZ-2G6E1

bahagian bahagian: 47

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1333MHz,

Senarai harapan
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

bahagian bahagian: 64

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR

MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR

bahagian bahagian: 1304

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

bahagian bahagian: 105

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

bahagian bahagian: 62

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
MT49H32M18CSJ-18:B

MT49H32M18CSJ-18:B

bahagian bahagian: 1248

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MTFC64GAPALBH-AIT TR

MTFC64GAPALBH-AIT TR

bahagian bahagian: 118

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

Senarai harapan
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

bahagian bahagian: 120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 768Gb (96G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT51K256M32HF-60 N:B TR

MT51K256M32HF-60 N:B TR

bahagian bahagian: 100

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

Senarai harapan
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

bahagian bahagian: 1238

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

bahagian bahagian: 2762

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

bahagian bahagian: 75

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT49H32M18SJ-25:B

MT49H32M18SJ-25:B

bahagian bahagian: 1725

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

bahagian bahagian: 125

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR

bahagian bahagian: 129

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT44K16M36RB-093E:B

MT44K16M36RB-093E:B

bahagian bahagian: 135

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1

MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1

bahagian bahagian: 2088

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8),

Senarai harapan
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

bahagian bahagian: 1771

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 1740

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT49H32M18CSJ-18:B TR

MT49H32M18CSJ-18:B TR

bahagian bahagian: 1212

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT44K32M18RB-093E:B

MT44K32M18RB-093E:B

bahagian bahagian: 92

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

bahagian bahagian: 1351

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT49H16M36SJ-25:B TR

MT49H16M36SJ-25:B TR

bahagian bahagian: 1719

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR

MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR

bahagian bahagian: 1263

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

Senarai harapan
MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR

MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR

bahagian bahagian: 2108

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT49H16M36SJ-25E:B TR

MT49H16M36SJ-25E:B TR

bahagian bahagian: 1614

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR

bahagian bahagian: 130

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT52L512M32D2PF-093 WT:B

MT52L512M32D2PF-093 WT:B

bahagian bahagian: 81

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR

bahagian bahagian: 1079

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 768Gb (96G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A

bahagian bahagian: 46

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A

bahagian bahagian: 115

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT40A1G16WBU-083E:B TR

MT40A1G16WBU-083E:B TR

bahagian bahagian: 1300

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (1G x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

Senarai harapan