Ingatan

MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

bahagian bahagian: 1319

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M8TG-6T:F TR

bahagian bahagian: 8887

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

bahagian bahagian: 121

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

bahagian bahagian: 65

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT46V16M16P-6T L:F

bahagian bahagian: 6831

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR

bahagian bahagian: 92

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

bahagian bahagian: 496

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8),

MT46V32M16FN-6:F

bahagian bahagian: 7179

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M16P-6T:A TR

bahagian bahagian: 7893

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

EDFP164A3PB-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 1679

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDB2432BCPA-8D-F-D

bahagian bahagian: 2731

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

bahagian bahagian: 9353

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

MT44K16M36RB-107E:B

bahagian bahagian: 106

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 933MHz,

MTFC32GJGDQ-AIT Z TR

bahagian bahagian: 1397

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR

bahagian bahagian: 1482

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D

bahagian bahagian: 110

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z

bahagian bahagian: 8158

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT44K16M36RB-107E:B TR

bahagian bahagian: 1650

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

bahagian bahagian: 125

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MTA4ATF51264HZ-2G6E1

bahagian bahagian: 38

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1333MHz,

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B

bahagian bahagian: 108

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT49H32M18SJ-25E:B

bahagian bahagian: 1558

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT46V64M8BN-6:F TR

bahagian bahagian: 2377

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53B256M64D2PX-062 XT:C

bahagian bahagian: 44

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 92

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR

bahagian bahagian: 1278

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR

bahagian bahagian: 87

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT53B256M64D2TG-062 XT:C

bahagian bahagian: 52

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT49H32M18SJ-25:B TR

bahagian bahagian: 1679

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT49H32M18SJ-25E:B TR

bahagian bahagian: 1539

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT40A4G4NRE-083E:B TR

bahagian bahagian: 906

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT44K16M36RB-093E IT:B

bahagian bahagian: 74

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 82

MTFC32GAKAEDQ-AAT

bahagian bahagian: 89

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MTFC64GAPALBH-AAT

bahagian bahagian: 89

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT53D256M64D4KA-046 XT:B

bahagian bahagian: 102

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,