Ingatan

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 1880

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F32G08ABEDBM83C3WC1

bahagian bahagian: 106

MTFC32GJWDQ-4M AIT Z TR

bahagian bahagian: 8065

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT44K16M36RB-093E:B TR

bahagian bahagian: 1367

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT25QL01GBBB8ESF-0SIT

bahagian bahagian: 7362

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT41K512M16HA-125 AIT:A

bahagian bahagian: 129

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR

bahagian bahagian: 2733

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 2448

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

bahagian bahagian: 1104

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR

bahagian bahagian: 2473

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT52L256M64D2QA-125 XT:B

bahagian bahagian: 2980

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT41K1G8SN-107:A TR

bahagian bahagian: 1327

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MTFC16GLWDM-4M AIT Z

bahagian bahagian: 6434

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT48LC32M8A2P-6A IT:G TR

bahagian bahagian: 9513

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6

bahagian bahagian: 1315

MTFC32GAPALBH-AIT TR

bahagian bahagian: 120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

EDF8165A3MC-GD-F-R

bahagian bahagian: 1320

MT47H128M16RT-25E IT:C

bahagian bahagian: 2706

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B

bahagian bahagian: 5170

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR

bahagian bahagian: 1275

MT49H8M36SJ-25 IT:B TR

bahagian bahagian: 2487

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT40A8G4KVA-075H:G TR

bahagian bahagian: 1401

MT29F1T08CLHBBG1-3R:B

bahagian bahagian: 915

MT29F256G08CBCBBWP-10M:B

bahagian bahagian: 1020

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F32G08CFACAWP:C TR

bahagian bahagian: 1102

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT51J256M32HF-60S:A

bahagian bahagian: 1200

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT29F64G08CBEFBWP:F

bahagian bahagian: 5152

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MTFC16GAKAEEF-AAT

bahagian bahagian: 120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT51J256M32HF-50:A

bahagian bahagian: 5187

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32),

MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M

bahagian bahagian: 1486

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT29F256G08CBCBBWP-10:B

bahagian bahagian: 925

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MTFC16GLWDQ-4M AIT Z

bahagian bahagian: 8974

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR

bahagian bahagian: 2115

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MTFC16GAKAENA-4M IT TR

bahagian bahagian: 73

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT41K1G8RKB-107:P

bahagian bahagian: 1321

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F64G08CBEFBWP-M:F

bahagian bahagian: 1560

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),