Ingatan

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

bahagian bahagian: 1667

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F8G01ADBFD12-AATES:F TR

bahagian bahagian: 5766

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (8G x 1),

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B

bahagian bahagian: 9832

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G

bahagian bahagian: 5300

MT44K32M36RB-083F:A

bahagian bahagian: 4998

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 1200MHz,

MT40A512M8RH-062E:B

bahagian bahagian: 9397

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT41K256M16TW-093 IT:P

bahagian bahagian: 8090

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT

bahagian bahagian: 8809

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM), Kekerapan Jam: 208MHz,

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR

bahagian bahagian: 6370

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

bahagian bahagian: 9698

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J

bahagian bahagian: 3124

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT41K64M16V88AWC1

bahagian bahagian: 1857

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT40A256M16GE-083E AUT:B

bahagian bahagian: 107

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT40A1G8SA-075:H

bahagian bahagian: 2638

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F

bahagian bahagian: 3527

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

bahagian bahagian: 7929

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1333MHz,

MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR

bahagian bahagian: 5592

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53B768M64D8NK-053 WT:D

bahagian bahagian: 5117

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F64G08CBCGBSX-37B:G

bahagian bahagian: 1411

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F

bahagian bahagian: 3849

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT52L256M32D1PF-093 WT:B

bahagian bahagian: 103

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29F128G08CBECBL95B3WC1

bahagian bahagian: 131

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR

bahagian bahagian: 5740

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT40A512M8RH-083E AUT:B TR

bahagian bahagian: 5986

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MTFC32GAKAEEF-O1 AIT

bahagian bahagian: 4378

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

EDFA164A2PP-GD-F-D

bahagian bahagian: 9222

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AIT:D

bahagian bahagian: 5014

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

bahagian bahagian: 4445

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D8DATZ-DC

bahagian bahagian: 4663

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

bahagian bahagian: 6464

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

bahagian bahagian: 6269

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B2DADS-DC TR

bahagian bahagian: 6338

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT41K256M16TW-125:P

bahagian bahagian: 7680

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR

bahagian bahagian: 7011

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B256M32D1TG-062 XT:C

bahagian bahagian: 57

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR

bahagian bahagian: 1618

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),