Ingatan

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

bahagian bahagian: 3703

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53B384M64D4NH-062 WT:B

bahagian bahagian: 9797

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT44K16M36RB-107E IT:B

bahagian bahagian: 8294

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 933MHz,

MTFC32GAKAENA-4M IT

bahagian bahagian: 1039

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT41K1G4RG-107:N

bahagian bahagian: 3733

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (1G x 4), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

bahagian bahagian: 4449

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC16GAKAECN-4M IT TR

bahagian bahagian: 9907

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53B256M32D1DS-062 XT:C

bahagian bahagian: 4000

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V

bahagian bahagian: 9189

MT29F2G16ABBEAM69A3WC1

bahagian bahagian: 7246

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

MT41DC11TW-V88A TR

bahagian bahagian: 5994

MT46H64M32LFKQ-5 IT:C

bahagian bahagian: 8043

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53B4DCNK-DC

bahagian bahagian: 9768

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D

bahagian bahagian: 5190

MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR

bahagian bahagian: 73

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B

bahagian bahagian: 8311

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95E

bahagian bahagian: 3972

MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR

bahagian bahagian: 5556

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (2G x 1),

MTFC128GAJAEDN-AIT

bahagian bahagian: 9815

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53D512M32D2DS-046 AUT:D

bahagian bahagian: 5091

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR

bahagian bahagian: 1638

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 6990

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29F128G08AMEDBJ5-12:D

bahagian bahagian: 4968

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F

bahagian bahagian: 3652

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C

bahagian bahagian: 3689

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F

bahagian bahagian: 5053

MT41K512M8RG-107:N

bahagian bahagian: 9520

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT28FW01GABA1LJS-0AAT

bahagian bahagian: 8749

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B

bahagian bahagian: 8949

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F

bahagian bahagian: 3619

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT41K512M16HA-107 IT:A

bahagian bahagian: 8188

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D

bahagian bahagian: 4639

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT48LC16M16A2Y66AWC1

bahagian bahagian: 1845

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 7099

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B2DADS-DC

bahagian bahagian: 4077

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y

bahagian bahagian: 4758