Ingatan

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C

bahagian bahagian: 1908

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT40A4G4NRE-075E:B

bahagian bahagian: 9422

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MTFC16GAKAEJP-5M AIT TR

bahagian bahagian: 1007

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT44K32M36RB-083F:A TR

bahagian bahagian: 6178

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 1200MHz,

MTFC128GAOANEA-WT TR

bahagian bahagian: 7150

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT25QL128ABA8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 8623

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR

bahagian bahagian: 6718

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

bahagian bahagian: 122

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR

bahagian bahagian: 7369

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT29F4G08ABADAWP-E:D TR

bahagian bahagian: 7400

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

EDFA164A2PP-GD-F-R

bahagian bahagian: 1070

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT53D512M64D4NW-062 WT:D

bahagian bahagian: 4736

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8

bahagian bahagian: 5242

MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D TR

bahagian bahagian: 6616

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A256M16GE-075E AUT:B

bahagian bahagian: 3820

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F

bahagian bahagian: 3352

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MTFC64GAPAKEA-WT

bahagian bahagian: 4497

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT53B512M64D4NW-062 WT:C

bahagian bahagian: 9789

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

bahagian bahagian: 9201

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT40A1G8WE-075E AIT:B

bahagian bahagian: 67

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR

bahagian bahagian: 6574

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B2DBNP-DC TR

bahagian bahagian: 6323

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV

bahagian bahagian: 7291

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AAT:D

bahagian bahagian: 4820

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT38M5041A3034EZZI.XR6

bahagian bahagian: 9255

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, PSRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), 128M (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

EMB8132B4PM-DV-F-D

bahagian bahagian: 4097

MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR

bahagian bahagian: 5481

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y

bahagian bahagian: 4834

MT53B4DBNQ-DC

bahagian bahagian: 9766

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR

bahagian bahagian: 107

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

bahagian bahagian: 8636

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D

bahagian bahagian: 86

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT51K256M32HF-50 N:A

bahagian bahagian: 9625

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR

bahagian bahagian: 5526

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F1G01ABAFDSF-IT:F

bahagian bahagian: 3369

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (1G x 1),

MTFC16GAPALBH-AAT

bahagian bahagian: 81

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),