Ingatan

MT53B256M64D2NV MS

bahagian bahagian: 9726

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64),

MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR

bahagian bahagian: 6222

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

bahagian bahagian: 117

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT28FW02GBBA1LPC-0AAT TR

bahagian bahagian: 79

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F

bahagian bahagian: 3741

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT40A512M16HA-083E IT:A

bahagian bahagian: 8131

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R

bahagian bahagian: 9193

MT28FW02GBBA1LPC-0AAT

bahagian bahagian: 50

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

EDF8164A3PK-JD-F-R

bahagian bahagian: 8047

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B256M32D1PX-062 XT:C

bahagian bahagian: 84

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT40A1G8PM-083E:A TR

bahagian bahagian: 5963

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53B512M64D8HR-053 WT:B

bahagian bahagian: 4548

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC16GAKAEJP-5M AIT

bahagian bahagian: 989

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

bahagian bahagian: 110

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D8DATZ-DC TR

bahagian bahagian: 1775

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

bahagian bahagian: 7077

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A512M16Z01AWC1

bahagian bahagian: 46

MTFC64GAJAEDN-AAT TR

bahagian bahagian: 7138

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

bahagian bahagian: 4938

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D512M32D2NP-053 WT:D

bahagian bahagian: 4500

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT41K256M8V89CWC1

bahagian bahagian: 7981

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B

bahagian bahagian: 8905

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR

bahagian bahagian: 6418

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 TR

bahagian bahagian: 5814

MT53B512M64D4NZ-062 WT:D

bahagian bahagian: 4621

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5590

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7

bahagian bahagian: 4682

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR

bahagian bahagian: 7309

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

bahagian bahagian: 1507

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T

bahagian bahagian: 4040

MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR

bahagian bahagian: 3267

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR

bahagian bahagian: 6871

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

bahagian bahagian: 39

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

bahagian bahagian: 3140

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53B512M64D4NW-062 WT:D

bahagian bahagian: 4657

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC64GAPAKEA-WT TR

bahagian bahagian: 7173

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),