Transistor - FET, MOSFET - RF | Produk Semikonduktor Diskrit | 31

NXP USA Inc.

MRF19045LR5

bahagian bahagian: 6093

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19090HR5

bahagian bahagian: 6287

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9130HR5

bahagian bahagian: 6331

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S27130HR3

bahagian bahagian: 6369

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.7GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF373ALSR5

bahagian bahagian: 4667

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 18.2dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9205HR3

bahagian bahagian: 6313

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 21.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9125NR1

bahagian bahagian: 6345

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S23100HR3

bahagian bahagian: 6289

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.4GHz, Keuntungan: 15.4dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9125MR1

bahagian bahagian: 6037

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S16150HSR5

bahagian bahagian: 6361

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.6GHz ~ 1.66GHz, Keuntungan: 19.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6P3300HR5

bahagian bahagian: 4671

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 857MHz ~ 863MHz, Keuntungan: 20.2dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9060NR1

bahagian bahagian: 6275

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF8S9100HR3

bahagian bahagian: 6339

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 920MHz, Keuntungan: 19.3dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9030GNR1

bahagian bahagian: 4679

Jenis Transistor: LDMOS,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V2300NR5

bahagian bahagian: 957

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 220MHz, Keuntungan: 25.5dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S21110HR3

bahagian bahagian: 6374

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 17.3dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35010AR1

bahagian bahagian: 6335

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9201HSR3

bahagian bahagian: 6342

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.8dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19090HSR5

bahagian bahagian: 6240

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S19060NBR1

bahagian bahagian: 4618

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V14300HR3

bahagian bahagian: 6313

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.4GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF19030LR3

bahagian bahagian: 6305

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.96GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21050LR5

bahagian bahagian: 6262

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.16GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S35015HSR3

bahagian bahagian: 6357

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35002N6T1

bahagian bahagian: 6336

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 6V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9002NR2

bahagian bahagian: 6322

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9160HR5

bahagian bahagian: 6329

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V2010GNR5

bahagian bahagian: 4666

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 220MHz, Keuntungan: 23.9dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V13250HR3

bahagian bahagian: 6105

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.3GHz, Keuntungan: 22.7dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V14300HSR3

bahagian bahagian: 6351

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.4GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35010R1

bahagian bahagian: 6051

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9045GNR1

bahagian bahagian: 6300

Jenis Transistor: LDMOS,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6VP11KHR6

bahagian bahagian: 6309

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 130MHz, Keuntungan: 26dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21060MR1

bahagian bahagian: 6266

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.12GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9060LSR5

bahagian bahagian: 6319

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MD7P19130HSR5

bahagian bahagian: 6330

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan