Transistor - FET, MOSFET - RF | Produk Semikonduktor Diskrit | 31

NXP USA Inc.

MRF282ZR1

bahagian bahagian: 6201

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S27085HSR3

bahagian bahagian: 4655

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.66GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S9101NR1

bahagian bahagian: 6106

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S18060NBR1

bahagian bahagian: 6323

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19130HR3

bahagian bahagian: 6251

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21100HSR5

bahagian bahagian: 6268

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 15.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF1511NT1

bahagian bahagian: 13521

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 175MHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 7.5V, Peringkat Semasa: 4A,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S18125AHR5

bahagian bahagian: 6387

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S19080HSR5

bahagian bahagian: 6308

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S21100HSR5

bahagian bahagian: 6268

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.16GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF8P26080HR3

bahagian bahagian: 6021

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.62GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35003NT1

bahagian bahagian: 6331

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9130HSR3

bahagian bahagian: 6299

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19150HR3

bahagian bahagian: 6259

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S19210HSR3

bahagian bahagian: 4657

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S19120NR1

bahagian bahagian: 1513

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5P21240HR5

bahagian bahagian: 6273

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S38075HSR5

bahagian bahagian: 6293

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 30V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35003NR5

bahagian bahagian: 6100

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S19120HR3

bahagian bahagian: 4707

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S27085HR3

bahagian bahagian: 6351

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.66GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S21170HR3

bahagian bahagian: 6190

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9030NR1

bahagian bahagian: 6343

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF1570FNT1

bahagian bahagian: 2626

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 470MHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 12.5V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6VP21KHR6

bahagian bahagian: 6339

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 225MHz, Keuntungan: 24dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9201HR5

bahagian bahagian: 6363

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.8dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V2150NBR5

bahagian bahagian: 1441

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 220MHz, Keuntungan: 25dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V10250HSR5

bahagian bahagian: 6038

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.09GHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MD7P19130HSR3

bahagian bahagian: 6316

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35010R5

bahagian bahagian: 6268

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S18140HR5

bahagian bahagian: 6284

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9045LSR1

bahagian bahagian: 6300

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 18.8dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19130HSR3

bahagian bahagian: 6299

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S19200HR3

bahagian bahagian: 6385

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 17.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S27050HSR5

bahagian bahagian: 6333

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.62GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35010ANR5

bahagian bahagian: 6139

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan