Transistor - FET, MOSFET - RF | Produk Semikonduktor Diskrit | 31

NXP USA Inc.

MRF7S19210HR3

bahagian bahagian: 6057

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6VP41KHSR5

bahagian bahagian: 209

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 450MHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S18170HR3

bahagian bahagian: 6249

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.81GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19130HSR5

bahagian bahagian: 6299

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5P21180HR5

bahagian bahagian: 6301

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.16GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF21030LR3

bahagian bahagian: 4704

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.14GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19150HSR5

bahagian bahagian: 6281

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S24140HR3

bahagian bahagian: 4723

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.39GHz, Keuntungan: 15.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S18100NR1

bahagian bahagian: 6330

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V12250HSR3

bahagian bahagian: 4659

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.03GHz, Keuntungan: 20.3dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35002N6AT1

bahagian bahagian: 6390

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 6V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S19140HSR3

bahagian bahagian: 820

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S21170HSR3

bahagian bahagian: 6296

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6VP41KHR6

bahagian bahagian: 6375

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 450MHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S21100HR3

bahagian bahagian: 6314

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.16GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9135LSR5

bahagian bahagian: 6283

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 17.8dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6P24190HR6

bahagian bahagian: 478

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.39GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S18140HSR3

bahagian bahagian: 4691

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9160HSR3

bahagian bahagian: 6313

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5P21045NR1

bahagian bahagian: 6318

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21140HSR5

bahagian bahagian: 6324

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.12GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S23100HSR3

bahagian bahagian: 6318

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.4GHz, Keuntungan: 15.4dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S27130HR5

bahagian bahagian: 6375

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.7GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF18060ALR5

bahagian bahagian: 6007

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.81GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S18125BHSR5

bahagian bahagian: 6323

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S9080NBR1

bahagian bahagian: 2172

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21060NR1

bahagian bahagian: 4635

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.12GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9130HSR5

bahagian bahagian: 4638

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S9070NR5

bahagian bahagian: 6310

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 17.8dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35003MT1

bahagian bahagian: 4630

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S9150HSR5

bahagian bahagian: 6338

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 19.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9045NBR1

bahagian bahagian: 6270

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7P20040HSR5

bahagian bahagian: 6396

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.03GHz, Keuntungan: 18.2dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21100MBR1

bahagian bahagian: 6309

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.16GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S38040HSR5

bahagian bahagian: 6309

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 30V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S27015GNR1

bahagian bahagian: 4689

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.6GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan