Transistor - FET, MOSFET - RF | Produk Semikonduktor Diskrit | 31

NXP USA Inc.

MRF7S15100HR3

bahagian bahagian: 6334

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.51GHz, Keuntungan: 19.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9045NR1

bahagian bahagian: 6270

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 22.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S19080HR5

bahagian bahagian: 6328

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9085LSR3

bahagian bahagian: 6301

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 17.9dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF8P20140WHSR5

bahagian bahagian: 6236

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S38010HSR5

bahagian bahagian: 6383

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 30V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9160HR3

bahagian bahagian: 4700

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9130HR5

bahagian bahagian: 6373

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF281SR1

bahagian bahagian: 6367

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 12.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S21170HR5

bahagian bahagian: 6344

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19130HR5

bahagian bahagian: 6255

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF8S18120HSR5

bahagian bahagian: 6333

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.81GHz, Keuntungan: 18.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6P9220HR5

bahagian bahagian: 6325

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9130HSR5

bahagian bahagian: 6004

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S23140HSR3

bahagian bahagian: 4710

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.39GHz, Keuntungan: 15.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19090HR3

bahagian bahagian: 6044

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF18060ALR3

bahagian bahagian: 6281

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.81GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S9101MBR1

bahagian bahagian: 6289

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35003ANR5

bahagian bahagian: 6347

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10.8dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35010AR5

bahagian bahagian: 6293

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MD7P19130HR5

bahagian bahagian: 4664

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35020AR1

bahagian bahagian: 6339

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.5GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S21150HR3

bahagian bahagian: 6319

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF282SR1

bahagian bahagian: 6318

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9160HSR5

bahagian bahagian: 6357

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9160HR5

bahagian bahagian: 6330

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S21130HSR3

bahagian bahagian: 6252

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35010NR5

bahagian bahagian: 6164

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21100NBR1

bahagian bahagian: 6345

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.16GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9030LR5

bahagian bahagian: 6367

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S21090HR5

bahagian bahagian: 6239

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S18125AHSR3

bahagian bahagian: 6310

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S18125BHR5

bahagian bahagian: 6370

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S18060NR1

bahagian bahagian: 6312

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 1.88GHz,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9205HR5

bahagian bahagian: 4650

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 21.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S4125NBR1

bahagian bahagian: 6320

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 465MHz, Keuntungan: 23dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan