Ingatan

S29WS128N0SBAW012

bahagian bahagian: 159

CY7C0251AV-25AC

bahagian bahagian: 2890

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 144Kb (8K x 18), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S99PL127J0240 P

bahagian bahagian: 6467

CY14B101KA-ZS25XI

bahagian bahagian: 2850

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S34ML01G200TFI003

bahagian bahagian: 7917

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1318KV18-250BZC

bahagian bahagian: 2718

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CYD09S36V18-WW14

bahagian bahagian: 4540

FM28V102A-TG

bahagian bahagian: 3269

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

FM28V202A-TGTR

bahagian bahagian: 3307

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

S70GL02GT11FHB013

bahagian bahagian: 3453

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY14V104NA-BA25XIT

bahagian bahagian: 131

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C024AV-20AXCT

bahagian bahagian: 4409

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (4K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

S70GL02GT12FHAV10

bahagian bahagian: 156

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CG7811AAT

bahagian bahagian: 4380

CY14V104NA-BA45XI

bahagian bahagian: 3183

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CG8239AAT

bahagian bahagian: 4433

CG7813AA

bahagian bahagian: 4417

S70GL02GT11FHI010

bahagian bahagian: 2978

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1312KV18-250BZXCT

bahagian bahagian: 3256

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C006A-WW14

bahagian bahagian: 4484

CY62167G30-45BVXI

bahagian bahagian: 3144

CY7C1312KV18-250BZCT

bahagian bahagian: 3220

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1315KV18-250BZCT

bahagian bahagian: 2983

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY14B101LA-ZS45XI

bahagian bahagian: 3535

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1361KVE33-133AXM

bahagian bahagian: 3366

CY7C1381KVE33-133AXIT

bahagian bahagian: 3150

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY14B104NA-BA45XIT

bahagian bahagian: 3120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY14B104NA-ZS45XIT

bahagian bahagian: 3052

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY14V101NA-BA25XI

bahagian bahagian: 3169

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG7905AAT

bahagian bahagian: 4334

CY62177EV18LL-70BAXIT

bahagian bahagian: 3246

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S70GL02GS12FHBV23

bahagian bahagian: 7360

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

CY14V104LA-BA25XIT

bahagian bahagian: 3330

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY14B104K-ZS25XIT

bahagian bahagian: 3356

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY14B104NA-BA25XIT

bahagian bahagian: 3051

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY14B104M-ZSP25XIT

bahagian bahagian: 3341

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,