Ingatan

MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B

bahagian bahagian: 105

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53D512M16D1Z11MWC2

bahagian bahagian: 91

EDBA164B2PF-1D-F-D

bahagian bahagian: 3199

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT35XU02GCBA1G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 502

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F128G08CFEFBWP:F

bahagian bahagian: 1514

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B

bahagian bahagian: 1173

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR

bahagian bahagian: 1103

MT29F64G08CBEFBL94C3WC2

bahagian bahagian: 1509

MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 2874

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F6T08ETCBBM5-37:B

bahagian bahagian: 1072

MT49H16M18CSJ-25:B TR

bahagian bahagian: 2564

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F16G08ABACAM72A3WC1P

bahagian bahagian: 2558

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT40A512M8RH-083E:B

bahagian bahagian: 4694

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MTFC64GANALAM-WT TR

bahagian bahagian: 5138

MT29F256G08CEECBH6-12:C TR

bahagian bahagian: 2257

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR

bahagian bahagian: 2196

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT41K2G4RKB-107:N TR

bahagian bahagian: 1939

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F16G08ABABAWP-AIT:B TR

bahagian bahagian: 2193

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT41K512M8DA-107:P

bahagian bahagian: 6546

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR

bahagian bahagian: 1155

MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B

bahagian bahagian: 114

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

EDFA364A3PM-GD-F-D

bahagian bahagian: 2501

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDBA164B2PR-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 3242

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT40A8G4KVA-075H:G

bahagian bahagian: 1464

MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR

bahagian bahagian: 2330

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MTFC16GAKAEDQ-AAT

bahagian bahagian: 122

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR

bahagian bahagian: 5120

MT53B384M32D2NP-062 AIT:B

bahagian bahagian: 77

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B384M32D2NP-062 WT:B

bahagian bahagian: 52

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDBA232B2PB-1D-F-D

bahagian bahagian: 3253

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F2T08CUCBBK9-37:B

bahagian bahagian: 1080

MT49H8M36SJ-25 IT:B

bahagian bahagian: 2536

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT49H8M36SJ-25E:B TR

bahagian bahagian: 2866

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT41K256M16TW-107 XIT:P

bahagian bahagian: 4960

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT52L512M32D2PU-107 WT:B

bahagian bahagian: 67

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT40A4G4HPR-075H:G TR

bahagian bahagian: 1426

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.333GHz,