Transistor - FET, MOSFET - RF | Produk Semikonduktor Diskrit | 31

NXP USA Inc.

A2T21S161W12SR3

bahagian bahagian: 223

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.2GHz,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T09D400-23NR6

bahagian bahagian: 166

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 716MHz ~ 960MHz, Keuntungan: 17.8dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT18H357-24SR6

bahagian bahagian: 627

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.81GHz, Keuntungan: 17.3dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT09MS031GNR1

bahagian bahagian: 7895

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 870MHz, Keuntungan: 17.2dB, Voltan - Ujian: 13.6V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT21S230-12SR3

bahagian bahagian: 1032

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz, Keuntungan: 16.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT26H160-4S4R3

bahagian bahagian: 982

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.5GHz, Keuntungan: 14.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T18S260-12SR3

bahagian bahagian: 189

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.995GHz, Keuntungan: 18.9dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2I20H060GNR1

bahagian bahagian: 2619

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.84GHz, Keuntungan: 28.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T18S166W12SR3

bahagian bahagian: 169

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.995GHz,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2I25H060GNR1

bahagian bahagian: 2555

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.59GHz, Keuntungan: 26.1dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T21S160-12SR3

bahagian bahagian: 1069

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18.4dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT21S232SR3

bahagian bahagian: 1040

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz, Keuntungan: 16.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT09S200W02GNR3

bahagian bahagian: 1111

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT26H200W03SR6

bahagian bahagian: 769

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.5GHz, Keuntungan: 14.1dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T21H360-24SR6

bahagian bahagian: 644

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.14GHz, Keuntungan: 16.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T27S020NR1

bahagian bahagian: 147

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 400MHz ~ 2.7GHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T18H450W19SR6

bahagian bahagian: 498

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 16.5dB,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT09H310-04GSR6

bahagian bahagian: 755

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 920MHz, Keuntungan: 17.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFV141KHR5

bahagian bahagian: 148

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.4GHz, Keuntungan: 17.7dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T18H455W23NR6

bahagian bahagian: 173

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 31.5V, Peringkat Semasa: 10µA,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T21S260-12SR3

bahagian bahagian: 882

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T21H410-24SR6

bahagian bahagian: 606

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 15.6dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT21S240-12SR3

bahagian bahagian: 976

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 20.4dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT18S230SR3

bahagian bahagian: 1041

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T23H300-24SR6

bahagian bahagian: 773

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.3GHz, Keuntungan: 14.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T26H165-24SR3

bahagian bahagian: 987

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.5GHz, Keuntungan: 14.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT18S290-13SR3

bahagian bahagian: 841

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.96GHz, Keuntungan: 18.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT23H160-25SR3

bahagian bahagian: 1028

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.3GHz, Keuntungan: 16.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T09VD250NR1

bahagian bahagian: 1067

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 920MHz, Keuntungan: 22.5dB, Voltan - Ujian: 48V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2I25H060NR1

bahagian bahagian: 2341

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.59GHz, Keuntungan: 26.1dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFV10700GSR5

bahagian bahagian: 158

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 10µA,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT18H356-24SR6

bahagian bahagian: 653

Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT20P060-4GNR3

bahagian bahagian: 2987

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T21H140-24SR3

bahagian bahagian: 2095

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 17.4dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

AFT23H200-4S2LR6

bahagian bahagian: 976

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.3GHz, Keuntungan: 15.3dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

A2T18S262W12NR3

bahagian bahagian: 223

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 19.3dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

Senarai harapan