Menu
MelayuMelayu
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistor - FET, MOSFET - RF

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - RF
BLC6G22LS-75,112
NXP USA Inc.

BLC6G22LS-75,112

bahagian bahagian: 6367

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 18A,

Senarai harapan
BLF6G27LS-100,118
NXP USA Inc.

BLF6G27LS-100,118

bahagian bahagian: 4692

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.5GHz ~ 2.7GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 29A,

Senarai harapan
BF909R,235
NXP USA Inc.

BF909R,235

bahagian bahagian: 6415

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 800MHz, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 40mA, Gambar Kebisingan: 2dB,

Senarai harapan
BF904WR,135
NXP USA Inc.

BF904WR,135

bahagian bahagian: 6390

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 200MHz, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 1dB,

Senarai harapan
BF908R,235
NXP USA Inc.

BF908R,235

bahagian bahagian: 6343

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 200MHz, Voltan - Ujian: 8V, Peringkat Semasa: 40mA, Gambar Kebisingan: 0.6dB,

Senarai harapan
BF512,235
NXP USA Inc.

BF512,235

bahagian bahagian: 108169

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 100MHz, Voltan - Ujian: 10V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 1.5dB,

Senarai harapan
BF245A,126
NXP USA Inc.

BF245A,126

bahagian bahagian: 6378

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 100MHz, Voltan - Ujian: 15V, Peringkat Semasa: 6.5mA, Gambar Kebisingan: 1.5dB,

Senarai harapan
BF1107,235
NXP USA Inc.

BF1107,235

bahagian bahagian: 170319

Jenis Transistor: N-Channel, Peringkat Semasa: 10mA,

Senarai harapan
BF1108R,235
NXP USA Inc.

BF1108R,235

bahagian bahagian: 110637

Jenis Transistor: N-Channel, Peringkat Semasa: 10mA,

Senarai harapan
BF1101WR,135
NXP USA Inc.

BF1101WR,135

bahagian bahagian: 6356

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 800MHz, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 1.7dB,

Senarai harapan
BLF6G20S-230PRN:11
NXP USA Inc.

BLF6G20S-230PRN:11

bahagian bahagian: 6401

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.8GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan
BLF6G24-180PN,112
NXP USA Inc.

BLF6G24-180PN,112

bahagian bahagian: 6374

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2GHz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 17.5dB,

Senarai harapan
BLF6G20-230P
NXP USA Inc.

BLF6G20-230P

bahagian bahagian: 6380

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.8GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 5µA,

Senarai harapan
BLF6G10LS-200,118
NXP USA Inc.

BLF6G10LS-200,118

bahagian bahagian: 6318

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 871.5MHz, Keuntungan: 20.2dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 49A,

Senarai harapan
BLF6G10LS-200,112
NXP USA Inc.

BLF6G10LS-200,112

bahagian bahagian: 6300

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 871.5MHz, Keuntungan: 20.2dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 49A,

Senarai harapan
BLF4G10-160,112
NXP USA Inc.

BLF4G10-160,112

bahagian bahagian: 6318

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 894MHz, Keuntungan: 19.7dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 15A,

Senarai harapan
BLF1820-90,112
NXP USA Inc.

BLF1820-90,112

bahagian bahagian: 6275

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 11dB, Voltan - Ujian: 26V, Peringkat Semasa: 12A,

Senarai harapan
BF909AWR,115
NXP USA Inc.

BF909AWR,115

bahagian bahagian: 6280

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 800MHz, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 40mA, Gambar Kebisingan: 2dB,

Senarai harapan
BF904AWR,115
NXP USA Inc.

BF904AWR,115

bahagian bahagian: 4650

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 200MHz, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 1dB,

Senarai harapan
BF245C,112
NXP USA Inc.

BF245C,112

bahagian bahagian: 6262

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 100MHz, Voltan - Ujian: 15V, Peringkat Semasa: 25mA, Gambar Kebisingan: 1.5dB,

Senarai harapan
BF245B,126
NXP USA Inc.

BF245B,126

bahagian bahagian: 4655

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 100MHz, Voltan - Ujian: 15V, Peringkat Semasa: 15mA, Gambar Kebisingan: 1.5dB,

Senarai harapan
BF245B,112
NXP USA Inc.

BF245B,112

bahagian bahagian: 6302

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 100MHz, Voltan - Ujian: 15V, Peringkat Semasa: 15mA, Gambar Kebisingan: 1.5dB,

Senarai harapan
BF245A,112
NXP USA Inc.

BF245A,112

bahagian bahagian: 6264

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 100MHz, Voltan - Ujian: 15V, Peringkat Semasa: 6.5mA, Gambar Kebisingan: 1.5dB,

Senarai harapan
BLF4G22S-100,112
NXP USA Inc.

BLF4G22S-100,112

bahagian bahagian: 4722

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 12A,

Senarai harapan
BLF4G20S-110B,112
NXP USA Inc.

BLF4G20S-110B,112

bahagian bahagian: 6225

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 12A,

Senarai harapan
BLF4G22LS-130,112
NXP USA Inc.

BLF4G22LS-130,112

bahagian bahagian: 6263

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 15A,

Senarai harapan
BLF4G20LS-110B,112
NXP USA Inc.

BLF4G20LS-110B,112

bahagian bahagian: 6317

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 13.4dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 12A,

Senarai harapan
BLF4G20LS-130,112
NXP USA Inc.

BLF4G20LS-130,112

bahagian bahagian: 6285

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 14.6dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 15A,

Senarai harapan
BLF4G20-110B,112
NXP USA Inc.

BLF4G20-110B,112

bahagian bahagian: 6255

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 12A,

Senarai harapan
BLF4G10LS-120,112
NXP USA Inc.

BLF4G10LS-120,112

bahagian bahagian: 6305

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 920MHz ~ 960MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 12A,

Senarai harapan
BF908R,215
NXP USA Inc.

BF908R,215

bahagian bahagian: 6226

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 200MHz, Voltan - Ujian: 8V, Peringkat Semasa: 40mA, Gambar Kebisingan: 0.6dB,

Senarai harapan
BF545B,215
NXP USA Inc.

BF545B,215

bahagian bahagian: 164467

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Peringkat Semasa: 15mA,

Senarai harapan
BF1203,115
NXP USA Inc.

BF1203,115

bahagian bahagian: 6176

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 400MHz, Keuntungan: 27dB, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 1dB,

Senarai harapan
BF512,215
NXP USA Inc.

BF512,215

bahagian bahagian: 197299

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 100MHz, Voltan - Ujian: 10V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 1.5dB,

Senarai harapan
BF1108,215
NXP USA Inc.

BF1108,215

bahagian bahagian: 129492

Jenis Transistor: N-Channel, Peringkat Semasa: 10mA,

Senarai harapan
BF1211R,215
NXP USA Inc.

BF1211R,215

bahagian bahagian: 6122

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 400MHz, Keuntungan: 29dB, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 0.9dB,

Senarai harapan