Ingatan

EDBA164B2PR-1D-F-D

bahagian bahagian: 3165

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F4T08CTHBBM5-3C:B

bahagian bahagian: 5136

MTFC16GAKAEEF-AAT TR

bahagian bahagian: 55

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F2T08CQHBBG2-3R:B TR

bahagian bahagian: 1064

MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR

bahagian bahagian: 2158

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F64G08CBEFBL94C3WC1

bahagian bahagian: 1614

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT51K256M32HF-60:A

bahagian bahagian: 1275

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MTFC16GJGDQ-AIT Z TR

bahagian bahagian: 2680

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

NAND32GW3F2DDI6P TR

bahagian bahagian: 1077

MT40A256M16GE-062E:B TR

bahagian bahagian: 1568

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT29F512G08CFCBBWP-10:B

bahagian bahagian: 1020

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT52L256M64D2PP-107 WT:B

bahagian bahagian: 115

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT52L512M32D2PF-107 WT:B

bahagian bahagian: 73

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MTFC16GLWDM-4M AIT Z TR

bahagian bahagian: 2766

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MTFC16GJGDQ-AIT Z

bahagian bahagian: 86

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR

bahagian bahagian: 2588

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 2466

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 2466

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F64G08CBEFBWPR:F

bahagian bahagian: 1560

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT40A4G4HPR-075H:G

bahagian bahagian: 1398

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.333GHz,

MT58K256M321JA-100:A

bahagian bahagian: 9539

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 5GHz,

MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR

bahagian bahagian: 4276

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F256G08CJABBWP-12IT:B

bahagian bahagian: 2342

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT52L256M64D2QB-125 XT:B

bahagian bahagian: 2931

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R

bahagian bahagian: 1611

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (MLC), Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT41K2G4RKB-107:N

bahagian bahagian: 43

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT41K512M16HA-125:A TR

bahagian bahagian: 1785

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR

bahagian bahagian: 2542

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

NAND32GW3F2DDI6P

bahagian bahagian: 1173

MT53B512M32D2NP-062 WT:C

bahagian bahagian: 68

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

bahagian bahagian: 1397

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F16G08ABABAWP-AIT:B

bahagian bahagian: 95

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B

bahagian bahagian: 45

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT41K512M16HA-107:A TR

bahagian bahagian: 1266

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR

bahagian bahagian: 2497

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MTFC32GAPALBH-AIT

bahagian bahagian: 113

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),