Ingatan

MT47H64M16NF-25E AUT:M

bahagian bahagian: 9616

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR

bahagian bahagian: 5428

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTFC16GAKAEJP-4M IT TR

bahagian bahagian: 79

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53B2DBDS-DC

bahagian bahagian: 4093

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR

bahagian bahagian: 5907

MT53D768M64D8SQ-046 WT:E

bahagian bahagian: 5377

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR

bahagian bahagian: 6428

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F64G08CBCGBWP-BES:G

bahagian bahagian: 1425

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR

bahagian bahagian: 6447

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EMFA164A2PK-DV-F-D

bahagian bahagian: 4257

MT40A512M8RH-075E AUT:B

bahagian bahagian: 9509

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT53B256M64D2NK-062 WT:C

bahagian bahagian: 9738

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 6522

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A

bahagian bahagian: 4983

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT51K128M32HF-60 N:B TR

bahagian bahagian: 26

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT53B384M64D4EZ-062 WT:B

bahagian bahagian: 2058

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5678

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 6483

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F

bahagian bahagian: 3749

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT29F64G08ABEBBH6-12:B

bahagian bahagian: 4411

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D

bahagian bahagian: 7413

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53B256M64D2NL-062 XT:B

bahagian bahagian: 1987

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V

bahagian bahagian: 9219

MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR

bahagian bahagian: 1637

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q

bahagian bahagian: 9269

MT40A1G8WE-083E AAT:B

bahagian bahagian: 75

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

EMBA164B2PR-DV-F-D

bahagian bahagian: 4129

MT40A2G4SA-062E:E

bahagian bahagian: 93

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR

bahagian bahagian: 6482

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR

bahagian bahagian: 3365

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT41K512M8DA-125:P

bahagian bahagian: 3729

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 1667

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (1.5G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

bahagian bahagian: 3479

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT28FW512ABA1LJS-0AAT

bahagian bahagian: 8705

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR

bahagian bahagian: 6901

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A1G16WBU-075E:B

bahagian bahagian: 3995

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (1G x 16), Kekerapan Jam: 1.33GHz,