Ingatan

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

bahagian bahagian: 7963

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MTFC16GAKAECN-4M IT

bahagian bahagian: 9943

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53D512M32D2NP-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 1751

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F

bahagian bahagian: 1464

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT41K512M16HA-107G:A

bahagian bahagian: 7744

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B2DBNP-DC

bahagian bahagian: 4104

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F8G01ADAFD12-ITES:F

bahagian bahagian: 3670

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (8G x 1),

MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR

bahagian bahagian: 5479

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F128G08CBCEBJ4-37:E

bahagian bahagian: 3974

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53D4DANY-DC

bahagian bahagian: 4279

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 6599

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F16G08CBACAL72A3WC1

bahagian bahagian: 7623

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT29F1T08CMCBBJ4-37:B

bahagian bahagian: 8908

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D

bahagian bahagian: 5238

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B

bahagian bahagian: 4265

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F1T208ECCBBJ4-37:B

bahagian bahagian: 8944

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT61K256M32JE-14:A

bahagian bahagian: 106

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.75GHz,

MT40A512M8RH-075E IT:B

bahagian bahagian: 8117

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8

bahagian bahagian: 5093

MT29F64G08CBCGBWP-B:G

bahagian bahagian: 3657

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT29F512G08CMCBBH7-6R:B

bahagian bahagian: 9127

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 7120

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D768M32D4BD-053 WT:C

bahagian bahagian: 4754

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B512M64D4PV-062 WT:C

bahagian bahagian: 9827

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDW4032BABG-80-F-D

bahagian bahagian: 7788

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 2GHz,

MT25QU128ABA8E14-1SIT

bahagian bahagian: 8699

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C

bahagian bahagian: 5027

MT29F8G01ADBFD12-ITES:F

bahagian bahagian: 3620

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (8G x 1),

MT29F4G16ABADAH4-AAT:D

bahagian bahagian: 7300

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT53D1024M32D4DT-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 4754

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F

bahagian bahagian: 3503

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR

bahagian bahagian: 5478

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53B2DBDS-DC TR

bahagian bahagian: 6398

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D

bahagian bahagian: 3323

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR

bahagian bahagian: 6861

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D2048M32D8QD-053 WT:D

bahagian bahagian: 5361

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (2G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,