Ingatan

EDFA112A2PF-JD-F-D

bahagian bahagian: 2624

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (128M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F256G08CKCABH2-10:A

bahagian bahagian: 9203

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR

bahagian bahagian: 2121

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

bahagian bahagian: 2209

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

EDFA164A2PM-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 403

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F32G08ABAAAM73A3WC1

bahagian bahagian: 9088

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 813

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR

bahagian bahagian: 5024

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 3925

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 4095

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR

bahagian bahagian: 8148

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

EDF8164A3PK-GD-F-D

bahagian bahagian: 8416

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDW2032BBBG-50-F-R TR

bahagian bahagian: 7860

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR

bahagian bahagian: 644

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT25QU512ABA8E12-0SIT TR

bahagian bahagian: 15402

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT25QL512ABA8E12-0SIT TR

bahagian bahagian: 8892

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT49H8M36BM-TI:B

bahagian bahagian: 1024

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36),

MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR

bahagian bahagian: 6192

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR

bahagian bahagian: 3886

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53B512M64D4NK-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 1419

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR

bahagian bahagian: 7620

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 2806

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EMFA232A2PF-DV-F-R TR

bahagian bahagian: 3839

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR

bahagian bahagian: 5532

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F256G08AMCBBK7-6:B TR

bahagian bahagian: 5544

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

EDFA164A2PM-JDTJ-F-D

bahagian bahagian: 2590

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

N25Q512A11GSF40G

bahagian bahagian: 2733

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A

bahagian bahagian: 9798

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT41J256M16HA-093 J:E

bahagian bahagian: 8889

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1066MHz,

MT40A512M16JY-075E IT:B

bahagian bahagian: 79

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT40A512M16HA-083E:A TR

bahagian bahagian: 4044

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

bahagian bahagian: 10395

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

EDFP112A3PD-GD-F-D

bahagian bahagian: 2587

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR

bahagian bahagian: 495

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

bahagian bahagian: 3251

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

bahagian bahagian: 394

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,