Ingatan

MT53B4DBNQ-DC TR

bahagian bahagian: 1421

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR

bahagian bahagian: 5760

MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR

bahagian bahagian: 3839

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

bahagian bahagian: 955

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

EDFB232A1MA-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 685

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

bahagian bahagian: 13452

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR

bahagian bahagian: 7731

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR

bahagian bahagian: 8571

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F512G08CMECBH7-12:C

bahagian bahagian: 1096

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

EDFP164A3PD-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 831

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT49H64M9FM-25E:B TR

bahagian bahagian: 952

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (64M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F256G08CJAABWP-12:A TR

bahagian bahagian: 352

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D

bahagian bahagian: 9080

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

EDF8132A3PK-GD-F-D

bahagian bahagian: 2972

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 7195

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR

bahagian bahagian: 4657

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 2152

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QU512ABB8E12-1SIT TR

bahagian bahagian: 14485

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

EDFB232A1MA-JD-F-D

bahagian bahagian: 3303

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR

bahagian bahagian: 8740

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F128G08CFABBWP-12IT:B

bahagian bahagian: 4413

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 9246

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 9186

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR

bahagian bahagian: 6707

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

bahagian bahagian: 718

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8),

MT29F512G08CMEABH7-12:A

bahagian bahagian: 9729

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR

bahagian bahagian: 3452

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDFB164A1MA-JD-F-D

bahagian bahagian: 3073

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT25QU02GCBB8E12-0SIT TR

bahagian bahagian: 4219

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

EDF8164A3PK-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 5988

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR

bahagian bahagian: 5316

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 7267

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

bahagian bahagian: 6582

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-37ES:G TR

bahagian bahagian: 4685

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MTFC128GAJAEDN-AIT TR

bahagian bahagian: 652

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

EDW2032BBBG-6A-F-D

bahagian bahagian: 8319

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,