Ingatan

EDB8164B4PT-1DAT-F-D

EDB8164B4PT-1DAT-F-D

bahagian bahagian: 5356

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

bahagian bahagian: 8640

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR

MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR

bahagian bahagian: 71

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR

MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 1051

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT41K512M8RH-125 M AIT:E

MT41K512M8RH-125 M AIT:E

bahagian bahagian: 9882

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F16G08ABACAWP:C TR

MT29F16G08ABACAWP:C TR

bahagian bahagian: 9250

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

Senarai harapan
MT49H16M36FM-25:B TR

MT49H16M36FM-25:B TR

bahagian bahagian: 662

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
EDFP164A3PB-GD-F-D

EDFP164A3PB-GD-F-D

bahagian bahagian: 2706

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR

MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR

bahagian bahagian: 551

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08CEECBH6-12:C

MT29F256G08CEECBH6-12:C

bahagian bahagian: 2291

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

bahagian bahagian: 2711

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
N25Q064A13ESEDFF TR

N25Q064A13ESEDFF TR

bahagian bahagian: 9188

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT41K512M8RH-125 V:E

MT41K512M8RH-125 V:E

bahagian bahagian: 8903

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT49H32M18CFM-25E:B TR

MT49H32M18CFM-25E:B TR

bahagian bahagian: 805

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR

MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR

bahagian bahagian: 7714

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
EDF8132A3MA-GD-F-R TR

EDF8132A3MA-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 118

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
EDFP164A3PB-GD-F-R TR

EDFP164A3PB-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 802

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
EDFP112A3PF-JDTJ-F-D

EDFP112A3PF-JDTJ-F-D

bahagian bahagian: 2703

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR

MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 3915

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

bahagian bahagian: 1845

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
EDF8164A3PF-JD-F-D

EDF8164A3PF-JD-F-D

bahagian bahagian: 2776

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR

MT29F1T08CUECBH8-12:C TR

bahagian bahagian: 543

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR

MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR

bahagian bahagian: 26999

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
N25Q064A13ESEH0E

N25Q064A13ESEH0E

bahagian bahagian: 34391

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT49H32M18CFM-18:B

MT49H32M18CFM-18:B

bahagian bahagian: 679

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR

MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR

bahagian bahagian: 7643

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT41K512M8RG-093:N TR

MT41K512M8RG-093:N TR

bahagian bahagian: 7269

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR

MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR

bahagian bahagian: 927

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

Senarai harapan
MT49H64M9FM-25:B

MT49H64M9FM-25:B

bahagian bahagian: 969

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (64M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MT40A1G4HX-083E:A

MT40A1G4HX-083E:A

bahagian bahagian: 8409

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (1G x 4), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

Senarai harapan
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

bahagian bahagian: 4275

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
PC28F640P30TF65B TR

PC28F640P30TF65B TR

bahagian bahagian: 25926

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 65ns,

Senarai harapan
EDF8164A3PF-GD-F-R TR

EDF8164A3PF-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 6052

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR

MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 609

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

bahagian bahagian: 1833

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 1494

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan