Ingatan

MT29F64G08AECABH1-10IT:A TR

bahagian bahagian: 9472

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR

bahagian bahagian: 6033

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

EDF8164A3PK-JD-F-D

bahagian bahagian: 5028

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDFA164A2MA-GD-F-D

bahagian bahagian: 8405

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

NAND128W3AABN6E

bahagian bahagian: 9763

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR

bahagian bahagian: 1290

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT40A512M16JY-062E:B

bahagian bahagian: 41

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

EDFA164A2PK-GD-F-D

bahagian bahagian: 3268

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

bahagian bahagian: 7607

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz,

EDFA232A2PD-GD-F-D

bahagian bahagian: 3348

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F128G08CFAABWP-12:A TR

bahagian bahagian: 149

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

bahagian bahagian: 358

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR

bahagian bahagian: 15579

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

MT29F16G08ABACAM72A3WC1

bahagian bahagian: 9044

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

EMF8132A3MA-DV-F-D

bahagian bahagian: 4778

MT40A1G16HBA-083E:A TR

bahagian bahagian: 1152

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (1G x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT49H64M9FM-25:B TR

bahagian bahagian: 923

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (64M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR

bahagian bahagian: 9606

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

EDFA232A2PD-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 9138

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDW4032BABG-70-F-R TR

bahagian bahagian: 7872

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1.75GHz,

N25Q512A83G12H0F TR

bahagian bahagian: 8248

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT40A2G4TRF-093E:A

bahagian bahagian: 8517

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR

bahagian bahagian: 5447

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

bahagian bahagian: 8049

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

bahagian bahagian: 11460

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

bahagian bahagian: 1343

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

bahagian bahagian: 26717

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT49H32M9FM-25:B

bahagian bahagian: 851

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (32M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

bahagian bahagian: 8219

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR

bahagian bahagian: 3320

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

EDFA364A3MA-GD-F-D

bahagian bahagian: 2527

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 7293

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29F1T08CUCABK8-6:A TR

bahagian bahagian: 435

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

N25Q512A13GSFH0E

bahagian bahagian: 2940

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT40A512M8RH-075E AUT:B TR

bahagian bahagian: 4360

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR

bahagian bahagian: 366

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,