Ingatan

N25Q256A81ESF40F TR

bahagian bahagian: 22913

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A

bahagian bahagian: 8878

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR

bahagian bahagian: 2216

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F128G08AMCABK3-10:A

bahagian bahagian: 9195

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

EDFA232A2PF-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 512

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDFA112A2PD-GD-F-D

bahagian bahagian: 2526

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (128M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V TR

bahagian bahagian: 1425

EDF8132A3PB-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 6049

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

bahagian bahagian: 2137

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F256G08CJAAAWP-IT:A

bahagian bahagian: 9684

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

EMFM432A1PH-DV-F-R TR

bahagian bahagian: 3258

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

bahagian bahagian: 10027

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT41K256M16HA-125 V:E TR

bahagian bahagian: 9964

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

EMFM432A1PH-DV-F-D

bahagian bahagian: 3177

EDBM432B3PF-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 102

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

EDW4032CABG-50-N-F-D

bahagian bahagian: 3983

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR

bahagian bahagian: 5561

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR

bahagian bahagian: 9271

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F128G08CBCABH6-6M:A TR

bahagian bahagian: 9246

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT40A512M16HA-083E IT:A TR

bahagian bahagian: 3386

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 9812

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1067MHz,

EDY4016AABG-GX-F-D

bahagian bahagian: 8578

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

EDB4064B3PP-1D-F-D

bahagian bahagian: 7886

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR

bahagian bahagian: 1107

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT49H32M18CSJ-25E:B TR

bahagian bahagian: 1609

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29C3DAMF-DC TR

bahagian bahagian: 3875

MT29F1T08CUECBH8-12:C

bahagian bahagian: 552

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR

bahagian bahagian: 7533

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

M29F400FT55M32

bahagian bahagian: 2250

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

MT49H32M18FM-25E:B TR

bahagian bahagian: 893

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F8G08ADADAH4-E:D TR

bahagian bahagian: 7025

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8),

MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR

bahagian bahagian: 2769

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

N25Q256A83ESFA0F TR

bahagian bahagian: 14014

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 2752

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDFA164A2MA-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 317

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

bahagian bahagian: 6766

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,