Ingatan

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 1950

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 768Gb (96G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

EDFA232A2PF-GD-F-D

bahagian bahagian: 3337

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F512G08CKECBH7-12:C TR

bahagian bahagian: 1119

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR

bahagian bahagian: 1034

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

EMFA164A2PB-DV-F-D

bahagian bahagian: 2530

EDF4432ACPE-GD-F-D

bahagian bahagian: 3056

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

N25Q512A83G12A0F TR

bahagian bahagian: 8263

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

PC28F256P30B2E

bahagian bahagian: 14042

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

bahagian bahagian: 4401

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F256G08CKCBBH2-10:B

bahagian bahagian: 9258

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

M29DW256G70NF3E

bahagian bahagian: 8333

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

bahagian bahagian: 14901

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16),

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

bahagian bahagian: 9417

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 7257

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 2273

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT49H16M18CFM-25:B TR

bahagian bahagian: 634

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

EDF8164A3MA-JD-F-D

bahagian bahagian: 3724

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F8G08ABABAWP-AATX:B

bahagian bahagian: 70

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8),

N25Q064A13E12D0E

bahagian bahagian: 2551

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

N25Q256A83ESF40E

bahagian bahagian: 22877

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F64G08CFACBWP-12:C TR

bahagian bahagian: 10074

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

bahagian bahagian: 9126

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 537

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

bahagian bahagian: 8976

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

bahagian bahagian: 7680

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F128G08CFABAWP-IT:B

bahagian bahagian: 8781

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MTFC16GAKAECN-5M AIT

bahagian bahagian: 3072

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F512G08CUCABH3-10:A

bahagian bahagian: 9747

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

N25Q008A11ESC40FS01 TR

bahagian bahagian: 75721

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MTFC16GALAJEA-WT TR

bahagian bahagian: 5442

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A

bahagian bahagian: 8887

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR

bahagian bahagian: 4553

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

N25Q064A11ESECFF TR

bahagian bahagian: 82307

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

bahagian bahagian: 988

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR

bahagian bahagian: 275

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 6Tb (768G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT49H32M18CFM-25:B TR

bahagian bahagian: 757

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,