Ingatan

MT51K256M32HF-70:A

bahagian bahagian: 1285

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.75GHz,

MT28HL08GNBB3EBK-0GCT

bahagian bahagian: 2043

MT41K256M16TW-107 AT:P

bahagian bahagian: 1513

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MTFC16GJGEF-AIT Z TR

bahagian bahagian: 2672

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT40A4G4NRE-083E C:B

bahagian bahagian: 1413

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT29F16G08ABECBM72A3WC1P

bahagian bahagian: 108

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MTFC16GJGEF-AIT Z

bahagian bahagian: 2612

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M

bahagian bahagian: 879

MT53D4DABD-DC

bahagian bahagian: 3664

MT47H128M16RT-25E AAT:C

bahagian bahagian: 3100

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MTFC128GAOAMEA-WT ES

bahagian bahagian: 7309

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

bahagian bahagian: 78

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR

bahagian bahagian: 9264

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 2079

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (2G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D1G32D4NQ-062 WT:D

bahagian bahagian: 2063

MT25QL256ABA8ESF-MSIT

bahagian bahagian: 1246

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53E2G32D8QD-046 WT:E

bahagian bahagian: 7199

MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M

bahagian bahagian: 4349

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53D8DANZ-DC TR

bahagian bahagian: 9867

MT53B2DATG-DC

bahagian bahagian: 5790

MTFC16GANALEA-WT

bahagian bahagian: 7475

MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9157

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

bahagian bahagian: 109

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MTFC16GAPALBH-AIT ES TR

bahagian bahagian: 243

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

bahagian bahagian: 2702

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D512M64D4BP-046 WT:E

bahagian bahagian: 6649

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D4DBNW-DC

bahagian bahagian: 8406

MT53D1G32D4NQ-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 3285

MTFC128GAPALNA-AAT

bahagian bahagian: 7379

MT61M256M32JE-10 N:A

bahagian bahagian: 7245

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

bahagian bahagian: 3147

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC16GAPALNA-AIT

bahagian bahagian: 7480

MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 3512

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53B4DCNQ-DC TR

bahagian bahagian: 3144

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

bahagian bahagian: 1075

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D

bahagian bahagian: 1031

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),