Ingatan

EDFA364A3PK-GD-F-D

EDFA364A3PK-GD-F-D

bahagian bahagian: 4385

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT53B1DADS-DC

MT53B1DADS-DC

bahagian bahagian: 4082

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

Senarai harapan
MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR

MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR

bahagian bahagian: 4006

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT52L256M64D2GN-107 WT:B

MT52L256M64D2GN-107 WT:B

bahagian bahagian: 8193

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT53D512M32D2NP-046 WT:E

MT53D512M32D2NP-046 WT:E

bahagian bahagian: 4905

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MTFC16GAKAENA-4M IT

MTFC16GAKAENA-4M IT

bahagian bahagian: 1029

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
MT53D512M64D4SB-046 XT:D

MT53D512M64D4SB-046 XT:D

bahagian bahagian: 5305

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MT53D4DAKA-DC

MT53D4DAKA-DC

bahagian bahagian: 9200

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

Senarai harapan
MTFC16GAKAECN-AIT

MTFC16GAKAECN-AIT

bahagian bahagian: 955

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
MT51J256M32HF-70:A

MT51J256M32HF-70:A

bahagian bahagian: 9649

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.75GHz,

Senarai harapan
MT41K64M16TW-125:J

MT41K64M16TW-125:J

bahagian bahagian: 7707

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT53D4DFSB-DC

MT53D4DFSB-DC

bahagian bahagian: 4664

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

Senarai harapan
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR

MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 7048

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

bahagian bahagian: 3761

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

bahagian bahagian: 3887

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT25QU256ABA8E14-1SIT

MT25QU256ABA8E14-1SIT

bahagian bahagian: 8703

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
MTA9ASF1G72HZ-2G6E1
Senarai harapan
MT44K32M18RB-107E IT:B

MT44K32M18RB-107E IT:B

bahagian bahagian: 9562

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J

MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J

bahagian bahagian: 1077

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E

MT29F2G08ABAEAWP-AT:E

bahagian bahagian: 9056

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

Senarai harapan
MT41K1G4RG-107:N TR

MT41K1G4RG-107:N TR

bahagian bahagian: 6048

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (1G x 4), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
EDB8164B4PT-1DAT-F-R

EDB8164B4PT-1DAT-F-R

bahagian bahagian: 1846

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MTA8ATF51264HZ-2G1B1

MTA8ATF51264HZ-2G1B1

bahagian bahagian: 7859

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U

bahagian bahagian: 9219

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR

MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 7062

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT40A512M16HA-083E:A

MT40A512M16HA-083E:A

bahagian bahagian: 8121

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

Senarai harapan
MT53D2048M32D8QD-053 WT:D TR

MT53D2048M32D8QD-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 6702

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (2G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR

bahagian bahagian: 6413

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1

MT29F2G08ABBEAM69A3WC1

bahagian bahagian: 7202

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

Senarai harapan
MT40A256M16GE-062E IT:B

MT40A256M16GE-062E IT:B

bahagian bahagian: 9406

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

Senarai harapan
MT52L256M64D2PP-093 WT:B

MT52L256M64D2PP-093 WT:B

bahagian bahagian: 8332

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

bahagian bahagian: 6716

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT40A512M8RH-075E:B

MT40A512M8RH-075E:B

bahagian bahagian: 9509

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

Senarai harapan
EDB4416BBBH-1DIT-F-R

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

bahagian bahagian: 8006

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C

MT53D384M32D2DS-046 AAT:C

bahagian bahagian: 4833

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan