Ingatan

MT47H128M8CF-25E:M

bahagian bahagian: 7788

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53D512M32D2NP-046 AIT:D

bahagian bahagian: 4896

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR

bahagian bahagian: 3570

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F

bahagian bahagian: 3602

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT29F128G08CBCBBH6-6R:B

bahagian bahagian: 8922

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT40A1G16HBA-083E:A

bahagian bahagian: 8343

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (1G x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR

bahagian bahagian: 5701

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT46H1DBB5-DC

bahagian bahagian: 9192

MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G

bahagian bahagian: 3763

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F64G08AEEDBJ4-12:D

bahagian bahagian: 7666

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F1G08ABBFAM78A3WC1

bahagian bahagian: 7691

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR

bahagian bahagian: 6929

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A4G4FSE-083E:A

bahagian bahagian: 4827

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT38M5071A3063RZZI.YE8

bahagian bahagian: 9355

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, PSRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5668

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT53B512M64D4NK-053 WT:C

bahagian bahagian: 9783

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B1DBDS-DC

bahagian bahagian: 4048

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 6735

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A TR

bahagian bahagian: 5927

MT25QL128ABA1EW7-MSIT

bahagian bahagian: 3309

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F4G01ADAGDSF-IT:G

bahagian bahagian: 3542

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5690

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

bahagian bahagian: 3905

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC128GAOANEA-WT

bahagian bahagian: 9248

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT29F16G08CBACAL72A3WC1-V

bahagian bahagian: 7246

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

EDFB164A1PB-JD-F-D

bahagian bahagian: 1101

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT40A2G4WE-075E:D TR

bahagian bahagian: 6002

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT25QU128ABA8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 8582

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR

bahagian bahagian: 5511

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F512G08AUEBBH8-12:B

bahagian bahagian: 5467

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

bahagian bahagian: 4208

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

EMB8164B4PT-DV-F-D

bahagian bahagian: 4185

MT53D2048M32D8QD-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 6601

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (2G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D1024M64D8PM-053 WT:D

bahagian bahagian: 5321

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC16GAKAEJP-4M IT

bahagian bahagian: 69

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT41K1G8SN-125 IT:A

bahagian bahagian: 9461

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,