Ingatan

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E

bahagian bahagian: 3828

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F1G08ABAFAM78A3WC1

bahagian bahagian: 7652

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F

bahagian bahagian: 3574

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT25QU512ABB1EW9-0SIT

bahagian bahagian: 3117

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTA4ATF25664HZ-2G6B1

bahagian bahagian: 7767

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1333MHz,

MT29F4G08ABADAH4-AT:D

bahagian bahagian: 7295

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT44K32M36RB-107E IT:A

bahagian bahagian: 9645

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT40A512M16JY-083E AAT:B

bahagian bahagian: 121

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E

bahagian bahagian: 4326

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT61K256M32JE-12:A

bahagian bahagian: 93

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT40A1G8WE-083E AUT:B

bahagian bahagian: 9314

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT41K256M16TW-107 V:P TR

bahagian bahagian: 6068

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

bahagian bahagian: 6849

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTA8ATF1G64HZ-2G3A1

bahagian bahagian: 7816

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1200MHz,

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT

bahagian bahagian: 8748

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT28FW01GABA1HJS-0AAT

bahagian bahagian: 1957

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR

bahagian bahagian: 5924

MTA4ATF25664AZ-2G6B1

bahagian bahagian: 7816

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1333MHz,

MT40A512M16JY-083E AAT:B TR

bahagian bahagian: 3178

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

bahagian bahagian: 5678

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT53D768M64D8JS-053 WT:D

bahagian bahagian: 5195

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D

bahagian bahagian: 5121

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (1.5G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR

bahagian bahagian: 6605

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D512M32D2NP-046 AIT:D TR

bahagian bahagian: 6912

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT44K64M18RB-107E IT:A

bahagian bahagian: 4876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (64Mb x 18), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT41K256M16V90BWC1

bahagian bahagian: 7966

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

bahagian bahagian: 4508

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F4G08ABADAWP-AT:D

bahagian bahagian: 9093

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR

bahagian bahagian: 1619

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT29F8G08ABACAH4-ITS:C

bahagian bahagian: 3779

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8),

MT40A2G4SA-062E:E TR

bahagian bahagian: 105

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT29F512G08CECBBJ4-37:B

bahagian bahagian: 9104

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT41DC11TW-V88A

bahagian bahagian: 4080

MT53B512M32D2NP-062 WT:D

bahagian bahagian: 4351

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B1DBNP-DC TR

bahagian bahagian: 6331

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B1DBNP-DC

bahagian bahagian: 4083

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,