Ingatan

MTFC4GMDEA-R1 IT TR

bahagian bahagian: 8358

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

bahagian bahagian: 413

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR

bahagian bahagian: 205

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT25QL256ABA1ESF-0SIT TR

bahagian bahagian: 27011

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT49H32M18CFM-25:B

bahagian bahagian: 8102

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 1419

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F64G08CBAAAL74A3WC1

bahagian bahagian: 9034

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

M29F400FB55M32

bahagian bahagian: 2185

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

MT29F256G08CMAAAC5:A TR

bahagian bahagian: 413

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR

bahagian bahagian: 9316

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

EDFA164A2PH-GD-F-D

bahagian bahagian: 2607

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

NAND256W3A0BE06

bahagian bahagian: 9858

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

EDF8132A3PK-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 91

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR

bahagian bahagian: 499

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT49H32M18FM-33:B

bahagian bahagian: 913

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR

bahagian bahagian: 6795

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

N25Q064A13E12A0F TR

bahagian bahagian: 34913

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR

bahagian bahagian: 3784

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29C2DBGM-DC TR

bahagian bahagian: 3846

EMF8132A3PF-DV-F-D

bahagian bahagian: 7268

MT41K512M8RH-125 AAT:E TR

bahagian bahagian: 68

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT49H8M36BM-TI:B TR

bahagian bahagian: 1040

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36),

MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V TR

bahagian bahagian: 1363

MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR

bahagian bahagian: 972

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 1056

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDFP164A3PD-JD-F-D

bahagian bahagian: 1724

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

EMFP112A3PB-DV-F-R TR

bahagian bahagian: 872

EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR

bahagian bahagian: 751

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT51K256M32HF-50 N:A TR

bahagian bahagian: 2267

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

EDF8164A3MC-GD-F-D

bahagian bahagian: 3065

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

EMFA164A2PF-DV-F-D

bahagian bahagian: 2877

MT29F128G08CBECBH6-12:C TR

bahagian bahagian: 4364

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MTFC32GAMAKAM-WT TR

bahagian bahagian: 2514

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

ECB240ABCCN-Y3

bahagian bahagian: 8506

EDFA164A2PK-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 361

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

N25Q064A11ESE40E

bahagian bahagian: 3458

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,