Ingatan

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

bahagian bahagian: 2128

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT41K512M8RH-125 V:E TR

bahagian bahagian: 9920

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

N25Q016A11EF640E

bahagian bahagian: 3788

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 1ms,

MT29F2G08ABBFAH4:F TR

bahagian bahagian: 6132

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

NAND512R3A2SE06

bahagian bahagian: 9834

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

MT49H64M9FM-25E:B

bahagian bahagian: 918

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (64M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,

EDB1332BDPC-1D-F-D

bahagian bahagian: 19025

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR

bahagian bahagian: 8031

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 6977

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT41K2G4SN-107:A TR

bahagian bahagian: 7454

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

bahagian bahagian: 3406

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDY4016AABG-DR-F-R TR

bahagian bahagian: 8409

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

EDBA232B2PD-1D-F-D

bahagian bahagian: 3201

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 1494

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

bahagian bahagian: 2475

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR

bahagian bahagian: 5617

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

bahagian bahagian: 11622

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR

bahagian bahagian: 7747

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

bahagian bahagian: 324

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

bahagian bahagian: 7285

MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 2301

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC32GALAJAM-WT TR

bahagian bahagian: 2977

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F4G16ABADAM60A3WC1

bahagian bahagian: 9675

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT51J256M32HF-80:A TR

bahagian bahagian: 4134

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 2.0GHz,

NAND256W3A0BN6E

bahagian bahagian: 9833

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

bahagian bahagian: 6533

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F1T08CUCABK8-6:A

bahagian bahagian: 9187

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

N25Q064A13ESED0G

bahagian bahagian: 8401

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

N25Q256A81ESF40G

bahagian bahagian: 29104

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

EDY4016AABG-JD-F-D

bahagian bahagian: 8544

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT40A256M16GE-062E:B

bahagian bahagian: 3756

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 7982

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT49H32M9FM-33:B

bahagian bahagian: 865

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (32M x 9), Kekerapan Jam: 300MHz,

EDF8164A3PK-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 5012

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDY4016AABG-DR-F-D

bahagian bahagian: 8484

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

bahagian bahagian: 300

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,