Ingatan

MT29F1T08CPCCBH8-6R:C TR

MT29F1T08CPCCBH8-6R:C TR

bahagian bahagian: 5248

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
EDFP164A3PB-JD-F-D

EDFP164A3PB-JD-F-D

bahagian bahagian: 1715

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT40A512M16JY-083E IT:B TR

MT40A512M16JY-083E IT:B TR

bahagian bahagian: 3440

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

Senarai harapan
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

bahagian bahagian: 8721

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
EDF8164A3MD-GD-F-D TR

EDF8164A3MD-GD-F-D TR

bahagian bahagian: 9809

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
M29W256GH70ZS3F TR

M29W256GH70ZS3F TR

bahagian bahagian: 950

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R

MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R

bahagian bahagian: 2088

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8),

Senarai harapan
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P TR

MT29F16G08CBECBL72A3WC1P TR

bahagian bahagian: 9313

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

Senarai harapan
MT41K512M8RH-125 AAT:E

MT41K512M8RH-125 AAT:E

bahagian bahagian: 7922

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F1T08CUCABH8-6R:A TR

MT29F1T08CUCABH8-6R:A TR

bahagian bahagian: 5387

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR

bahagian bahagian: 335

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C

MT29F512G08CMCCBH7-6R:C

bahagian bahagian: 1032

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D TR

MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D TR

bahagian bahagian: 5718

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

bahagian bahagian: 6715

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT53D384M64D4NY-046 XT:D

MT53D384M64D4NY-046 XT:D

bahagian bahagian: 873

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MT40A1G8WE-075E IT:B

MT40A1G8WE-075E IT:B

bahagian bahagian: 87

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

Senarai harapan
EDF8132A3MA-JD-F-D

EDF8132A3MA-JD-F-D

bahagian bahagian: 3622

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR

MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR

bahagian bahagian: 2525

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

bahagian bahagian: 2099

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
EDF8164A3MA-JD-F-R TR

EDF8164A3MA-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 238

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
EDFB164A1MA-GD-F-D

EDFB164A1MA-GD-F-D

bahagian bahagian: 3099

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
EDBM432B3PB-1D-F-R TR

EDBM432B3PB-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 10012

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

bahagian bahagian: 8478

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR

MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR

bahagian bahagian: 1022

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT49H16M18BM-5:B TR

MT49H16M18BM-5:B TR

bahagian bahagian: 622

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A TR

MT29F256G08AUCABH3-10IT:A TR

bahagian bahagian: 457

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT44K32M36RB-093F:A TR

MT44K32M36RB-093F:A TR

bahagian bahagian: 932

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT25QL02GCBA8E12-0SI

MT25QL02GCBA8E12-0SI

bahagian bahagian: 74

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
M29F400FT5AM62

M29F400FT5AM62

bahagian bahagian: 2143

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR

bahagian bahagian: 9020

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 5469

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (384M x 16), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT49H32M18FM-33:B TR

MT49H32M18FM-33:B TR

bahagian bahagian: 815

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR

MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR

bahagian bahagian: 5821

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08CECBBH1-10IT:B TR

MT29F128G08CECBBH1-10IT:B TR

bahagian bahagian: 4656

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

bahagian bahagian: 930

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT41K256M16LY-093:N TR

MT41K256M16LY-093:N TR

bahagian bahagian: 7270

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan