Ingatan

MT53B512M64D4NK-062 WT:C TR

bahagian bahagian: 8235

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 448

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F1G08ABADAH4-E:D

bahagian bahagian: 9621

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

bahagian bahagian: 2022

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

N25Q064A13EW9D0E

bahagian bahagian: 3688

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR

bahagian bahagian: 5453

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (192M x 32),

MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 3995

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR

bahagian bahagian: 6235

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR

bahagian bahagian: 2285

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

N25Q00AA11GSF40G

bahagian bahagian: 8339

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (256M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

bahagian bahagian: 9164

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 3944

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR

bahagian bahagian: 502

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT49H16M36FM-18:B TR

bahagian bahagian: 682

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 533MHz,

EDW2032BBBG-50-F-D

bahagian bahagian: 8405

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

N25Q064A13E12D0F TR

bahagian bahagian: 93618

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT41K256M16V80AWC1

bahagian bahagian: 8933

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

bahagian bahagian: 8715

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT25QL128ABA8E14-0SIT TR

bahagian bahagian: 28485

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT48H16M32LFB5-6 AAT:C TR

bahagian bahagian: 9035

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR

bahagian bahagian: 7101

MT41K512M8V80AWC1

bahagian bahagian: 8949

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR

bahagian bahagian: 267

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 9038

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C

bahagian bahagian: 4073

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

M29W512GH70N3E

bahagian bahagian: 4296

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT40A512M8RH-075E:B TR

bahagian bahagian: 6438

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR

bahagian bahagian: 11560

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 2499

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F128G08CFCGBWP-10M:G

bahagian bahagian: 5174

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR

bahagian bahagian: 216

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

EDW4032BABG-60-F-D

bahagian bahagian: 8975

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT53B384M64D4TP-062 XT:C

bahagian bahagian: 1475

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F16G08AFABAWP-IT:B

bahagian bahagian: 9535

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 1494

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT40A1G8SA-062E:E

bahagian bahagian: 110

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.6GHz,