Ingatan

MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR

MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR

bahagian bahagian: 4899

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR

MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR

bahagian bahagian: 4209

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
EDFA164A2PF-GD-F-R TR

EDFA164A2PF-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 320

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR

MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR

bahagian bahagian: 1130

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 768Gb (96G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

Senarai harapan
EDF8132A3MA-JD-F-R TR

EDF8132A3MA-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 59

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

bahagian bahagian: 216

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 6Tb (768G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C

bahagian bahagian: 1408

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR

MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR

bahagian bahagian: 38731

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR

MT41K256M16HA-125 AAT:E TR

bahagian bahagian: 76

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
EDF8164A3PD-GD-F-D

EDF8164A3PD-GD-F-D

bahagian bahagian: 4088

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR

MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR

bahagian bahagian: 494

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
EDFA164A2PF-JD-F-R TR

EDFA164A2PF-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 334

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
EDFA232A2PB-GD-F-D

EDFA232A2PB-GD-F-D

bahagian bahagian: 3305

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
NAND512R3A2SN6E

NAND512R3A2SN6E

bahagian bahagian: 9799

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR

MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR

bahagian bahagian: 4503

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B

MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B

bahagian bahagian: 2925

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

bahagian bahagian: 9586

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT35XU01GBBA2G12-0SIT TR

MT35XU01GBBA2G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 548

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08AUCABK4-10:A

MT29F256G08AUCABK4-10:A

bahagian bahagian: 9226

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
EDF8164A3PM-GD-F-D

EDF8164A3PM-GD-F-D

bahagian bahagian: 2544

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
N28H00EB03EDK34E

N28H00EB03EDK34E

bahagian bahagian: 2311

Senarai harapan
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR

MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR

bahagian bahagian: 9388

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

Senarai harapan
EDFA164A2PH-GD-F-R TR

EDFA164A2PH-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 302

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT51J256M32HF-70:A TR

MT51J256M32HF-70:A TR

bahagian bahagian: 4511

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.75GHz,

Senarai harapan
MT49H32M18CFM-18:B TR

MT49H32M18CFM-18:B TR

bahagian bahagian: 780

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR

MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR

bahagian bahagian: 74

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR

MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR

bahagian bahagian: 1935

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT28FW01GABA1LJS-0AAT TR

MT28FW01GABA1LJS-0AAT TR

bahagian bahagian: 6582

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR

MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR

bahagian bahagian: 6855

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

bahagian bahagian: 3415

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT49H8M36FM-25 IT:B

MT49H8M36FM-25 IT:B

bahagian bahagian: 1004

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR

MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR

bahagian bahagian: 629

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR

MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR

bahagian bahagian: 5492

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MTFC4GMDEA-4M IT

MTFC4GMDEA-4M IT

bahagian bahagian: 8792

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

Senarai harapan
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR

MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR

bahagian bahagian: 1036

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR

bahagian bahagian: 1568

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan