Ingatan

MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 8209

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QU256ABA8E14-1SIT TR

bahagian bahagian: 21641

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53B4DAEZ-DC TR

bahagian bahagian: 8127

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT44K32M18RB-093F:B TR

bahagian bahagian: 1183

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT40A512M8HX-093E:A

bahagian bahagian: 8511

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1067MHz,

N25Q064A13E12D1F TR

bahagian bahagian: 93584

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

EDFA164A2PF-GD-F-D

bahagian bahagian: 2862

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDF8164A3MA-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 178

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDFA112A2PF-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 9114

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (128M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR

bahagian bahagian: 4826

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8),

MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 569

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 1294

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8),

MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 7570

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

EDB8164B4PT-1DIT-F-D

bahagian bahagian: 5439

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR

bahagian bahagian: 9278

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F16G08CBACBWP-12:C TR

bahagian bahagian: 9256

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT53B4DABNK-DC

bahagian bahagian: 1425

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR

bahagian bahagian: 635

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

M29W400DB70ZE6F TR

bahagian bahagian: 1004

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

EDFA232A2MA-JD-F-D

bahagian bahagian: 3637

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B256M64D2NV MS TR

bahagian bahagian: 9621

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64),

ECY4008AACS-Y3

bahagian bahagian: 8525

MT29F32G08AECCBH1-10:C TR

bahagian bahagian: 9366

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT53B2DANH-DC

bahagian bahagian: 8912

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT41K256M16HA-125 AAT:E

bahagian bahagian: 7924

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDBM432B3PD-1D-F-D

bahagian bahagian: 3219

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

EDW2032BBBG-60-F-D

bahagian bahagian: 8413

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A

bahagian bahagian: 9229

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

N25Q032A13ESEH0F TR

bahagian bahagian: 1081

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR

bahagian bahagian: 10996

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT44K64M18RB-093F:A TR

bahagian bahagian: 912

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (64Mb x 18), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT53B2DAANK-DC

bahagian bahagian: 2167

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F256G08CJAAAWP:A TR

bahagian bahagian: 9334

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

EMF8164A3PK-DV-F-D

bahagian bahagian: 3419

EMFA164A2PM-DV-F-D

bahagian bahagian: 3864

MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR

bahagian bahagian: 6277

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,