Ingatan

MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D

bahagian bahagian: 9591

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

EDFB232A1MA-GD-F-D

bahagian bahagian: 3329

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDFM432A1PF-JD-F-D

bahagian bahagian: 3356

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT41K128M16JT-125 V:K TR

bahagian bahagian: 13182

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDFP164A3PD-GD-F-D

bahagian bahagian: 2876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

bahagian bahagian: 9660

EMF8132A3PF-DV-F-R TR

bahagian bahagian: 7199

EDBA164B2PF-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 3220

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

bahagian bahagian: 479

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR

bahagian bahagian: 5773

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

EDF8132A3PF-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 131

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR

bahagian bahagian: 747

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR

bahagian bahagian: 4139

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT49H16M18FM-25 IT:B

bahagian bahagian: 8105

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

EDBA232B2PB-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 3210

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 4926

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

NAND512W3A2SE06

bahagian bahagian: 9836

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 1219

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

bahagian bahagian: 4260

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT40A2G4TRF-083E:A

bahagian bahagian: 8477

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

EDFA232A2MA-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 392

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B

bahagian bahagian: 2991

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT44K16M36RB-107E IT:B TR

bahagian bahagian: 1439

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

bahagian bahagian: 15445

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR

bahagian bahagian: 7048

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

bahagian bahagian: 4295

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT28HL04GGBB1EBK-0GCT

bahagian bahagian: 4284

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 1116

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR

bahagian bahagian: 1455

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR

bahagian bahagian: 9966

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

bahagian bahagian: 7733

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

bahagian bahagian: 9422

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR

bahagian bahagian: 1726

MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

bahagian bahagian: 14490

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, PSRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), 128M (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

EDW2032BBBG-6A-F-R TR

bahagian bahagian: 8318

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q TR

bahagian bahagian: 3582