Ingatan

EDF8132A3PF-GD-F-D

bahagian bahagian: 3218

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR

bahagian bahagian: 4680

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53B4DANJ-DC

bahagian bahagian: 1059

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

bahagian bahagian: 1349

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

EDFA232A2MA-GD-F-D

bahagian bahagian: 3581

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F4G08ABADAH4-E:D

bahagian bahagian: 9659

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT49H16M18CFM-33:B TR

bahagian bahagian: 667

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

MT40A1G8SA-062E:E TR

bahagian bahagian: 63

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K TR

bahagian bahagian: 7103

EDFA112A2PF-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 266

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (128M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR

bahagian bahagian: 4963

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR

bahagian bahagian: 4197

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

bahagian bahagian: 2247

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

EDFM432A1PF-GD-F-D

bahagian bahagian: 3434

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDFP112A3PF-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 764

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

bahagian bahagian: 1928

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D

bahagian bahagian: 9066

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 515

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT40A512M16JY-075E IT:B TR

bahagian bahagian: 3285

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

N25Q512A13G12A0F TR

bahagian bahagian: 8261

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

EDFP112A3PD-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 9077

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR

bahagian bahagian: 6701

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT40A4G4NRE-075E:B TR

bahagian bahagian: 844

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R TR

bahagian bahagian: 1675

MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A

bahagian bahagian: 9206

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

bahagian bahagian: 26867

MT53B256M64D2NW-062 WT:C

bahagian bahagian: 2299

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR

bahagian bahagian: 8833

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT49H16M18CBM-25 IT:B

bahagian bahagian: 611

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR

bahagian bahagian: 4395

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

EDW2032BBBG-7A-F-R TR

bahagian bahagian: 8370

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 1.75GHz,

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 5906

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

bahagian bahagian: 3294

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

EDFA164A2PB-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 369

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 8922

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F32G08CBCDBJ4-10:D

bahagian bahagian: 9061

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,