Ingatan

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 587

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT49H16M36FM-25E:B TR

bahagian bahagian: 701

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

bahagian bahagian: 1966

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F128G08EBEBBWPES:B TR

bahagian bahagian: 8389

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR

bahagian bahagian: 4196

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM), Kekerapan Jam: 208MHz,

EDFA112A2PD-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 234

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (128M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT35XL02GCBA2G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 525

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

N25Q128A31EF840E

bahagian bahagian: 3687

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F32G08AECCBH1-10:C

bahagian bahagian: 8002

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT51J256M32HF-60:A TR

bahagian bahagian: 4439

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

N25Q016A11ESCA0F TR

bahagian bahagian: 1063

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 1ms,

MT53B4DBNH-DC

bahagian bahagian: 1445

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR

bahagian bahagian: 7591

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

M29F400FB5AM6T2 TR

bahagian bahagian: 910

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 2537

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR

bahagian bahagian: 5160

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F1T08CUEABH8-12:A

bahagian bahagian: 9690

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR

bahagian bahagian: 1057

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

bahagian bahagian: 5859

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

M29F400FB55M3T2 TR

bahagian bahagian: 883

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

EDB4064B3PD-8D-F-D

bahagian bahagian: 7862

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 400MHz,

MTFC64GANALAM-WT

bahagian bahagian: 1439

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

bahagian bahagian: 6122

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29F64G08AECABH1-10IT:A

bahagian bahagian: 9815

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F128G08EBCDBB05A3WC1

bahagian bahagian: 113

MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR

bahagian bahagian: 1901

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 3880

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29C3DBAN-DC TR

bahagian bahagian: 3841

MT49H32M18CSJ-25E IT:B

bahagian bahagian: 1251

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

NAND512R3A2SN6F

bahagian bahagian: 9928

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

MT28HL16GJBB3ERK-0SCT

bahagian bahagian: 850

MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR

bahagian bahagian: 1672

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 768Gb (96G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

N25Q032A13EF4A0F TR

bahagian bahagian: 53524

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F16G08CBECBL72A3WC1P

bahagian bahagian: 7988

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

bahagian bahagian: 5302

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

N25Q128A13ESEH0E

bahagian bahagian: 3574

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,