Ingatan

RC28F256P30T2E

bahagian bahagian: 4035

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR

bahagian bahagian: 754

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR

bahagian bahagian: 273

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 6Tb (768G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR

bahagian bahagian: 2221

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR

bahagian bahagian: 10574

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

EDFM432A1PH-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 3205

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT35XL02GCBA4G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 3907

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT41K256M16HA-125 V:E

bahagian bahagian: 8958

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT43A4G80200NFH-S15:A

bahagian bahagian: 139

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

bahagian bahagian: 7882

MT29TZZZ7D7JKKBT-107 W.97V TR

bahagian bahagian: 7091

MT29F128G08EBEBBWP:B TR

bahagian bahagian: 4735

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR

bahagian bahagian: 1908

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR

bahagian bahagian: 298

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR

bahagian bahagian: 520

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F128G08CFAAAWP:A TR

bahagian bahagian: 168

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

RC28F128J3F75G

bahagian bahagian: 8976

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 75ns,

MT49H32M18CFM-25E:B

bahagian bahagian: 8081

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT53B4DBEZ-DC TR

bahagian bahagian: 8161

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

M58BW016FB7D150T TR

bahagian bahagian: 1025

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32),

MT53B4DCNK-DC TR

bahagian bahagian: 1418

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT28HL32GQBA6EBL-0GCT

bahagian bahagian: 2310

MT41K512M8RG-107:N TR

bahagian bahagian: 9375

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

bahagian bahagian: 94

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F32G08CBADBWP-12:D TR

bahagian bahagian: 6234

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR

bahagian bahagian: 453

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR

bahagian bahagian: 452

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

EDBA232B2PF-1D-F-D

bahagian bahagian: 3221

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR

bahagian bahagian: 4128

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR

bahagian bahagian: 232

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT49H8M36BM-5:B

bahagian bahagian: 928

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

bahagian bahagian: 435

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR

bahagian bahagian: 4511

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR

bahagian bahagian: 2265

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 1286

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC2GMDEA-0M WT

bahagian bahagian: 11583

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),