Ingatan

MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR

bahagian bahagian: 7882

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D

bahagian bahagian: 9752

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

bahagian bahagian: 6793

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53B2DANL-DC

bahagian bahagian: 2507

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

EDFP264A2PB-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 873

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

N25Q512A13GSFA0F TR

bahagian bahagian: 7894

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

N25Q064A13EW94ME

bahagian bahagian: 3658

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 9094

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDY4016AABG-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 8456

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT25QU128ABA8E14-1SIT TR

bahagian bahagian: 28446

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 8776

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

bahagian bahagian: 11931

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (1G x 1),

MT53B4DAPV-DC TR

bahagian bahagian: 8097

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

N25Q512A81GSF40F TR

bahagian bahagian: 1296

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

EDB130ABDBH-1D-F-D

bahagian bahagian: 17990

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16, 32M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

PF58F0095HVT0B0A

bahagian bahagian: 8378

EDF8132A3PB-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 8991

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F256G08CKCABH2-12:A TR

bahagian bahagian: 358

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT40A512M16LY-062E:E

bahagian bahagian: 124

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

NAND256W3A2BE06

bahagian bahagian: 9774

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR

bahagian bahagian: 1299

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

NAND512R3A2SZA6F

bahagian bahagian: 9843

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

MT53B4DAANK-DC

bahagian bahagian: 1132

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F512G08CMCABK7-6:A

bahagian bahagian: 9145

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT29TZZZAD7JKKFB-107 W.97R TR

bahagian bahagian: 7209

MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 2266

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F512G08CMCABK7-6:A TR

bahagian bahagian: 277

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT49H16M18FM-33:B

bahagian bahagian: 663

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 1456

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

bahagian bahagian: 738

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

bahagian bahagian: 2116

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDFA112A2PD-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 288

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (128M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

bahagian bahagian: 11265

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, PSRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), 128M (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

N25Q128A11ESECFE

bahagian bahagian: 3562

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

bahagian bahagian: 9383

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

EDBM432B3PB-1D-F-D

bahagian bahagian: 3105

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,