Ingatan

MTFC32GAMALAM-WT ES TR

bahagian bahagian: 3342

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53D8DANZ-DC

bahagian bahagian: 3751

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

bahagian bahagian: 3153

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QL128ABA1ESE-MSIT

bahagian bahagian: 1277

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6613

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT61M256M32JE-12 N:A

bahagian bahagian: 7329

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B

bahagian bahagian: 1659

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D8D1BSQ-DC

bahagian bahagian: 6973

MT41K1G8RKB-107:N TR

bahagian bahagian: 1897

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D4DBBP-DC TR

bahagian bahagian: 3408

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 9853

MT53D4DCSB-DC

bahagian bahagian: 6432

MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 3412

MT35XL512ABA2G12-0AAT

bahagian bahagian: 1325

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

bahagian bahagian: 9540

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A512M16LY-062E IT:E TR

bahagian bahagian: 8928

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT53B4DANW-DC

bahagian bahagian: 1704

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B

bahagian bahagian: 1691

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F256G08CMCABH2-12Z:A

bahagian bahagian: 5244

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 8982

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (1.5G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT47H128M4SH-25E:H TR

bahagian bahagian: 758

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 6942

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC64GAPALNA-AAT ES TR

bahagian bahagian: 528

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8

bahagian bahagian: 5522

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

bahagian bahagian: 3327

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A

bahagian bahagian: 1435

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (192M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25TL256HBA8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 1321

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53B1G64D8NW-062 WT:D

bahagian bahagian: 1449

MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 3487

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

bahagian bahagian: 3091

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR

bahagian bahagian: 3097

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D4DCSB-DC TR

bahagian bahagian: 9343

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D

bahagian bahagian: 4268

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT:D

bahagian bahagian: 1651

MTFC32GAKAEJP-5M AIT

bahagian bahagian: 2449

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT35XU256ABA2G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3626

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,