Ingatan

MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR

bahagian bahagian: 743

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTFC128GAPALNS-AAT ES TR

bahagian bahagian: 4091

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR

bahagian bahagian: 8615

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 1748

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR

bahagian bahagian: 904

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D TR

bahagian bahagian: 9268

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 5736

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (1.5G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 2850

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D4DCFL-DC

bahagian bahagian: 6437

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

bahagian bahagian: 1477

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT40A512M16JY-083E AUT:B

bahagian bahagian: 126

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3469

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC128GAPALNA-AIT ES

bahagian bahagian: 7448

MT25QL256ABA8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 1260

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT52L4DBPG-DC

bahagian bahagian: 1420

MT52L256M32D1V01MWC2

bahagian bahagian: 114

MT53D8DANW-DC TR

bahagian bahagian: 9859

MT53D4DDFL-DC TR

bahagian bahagian: 9419

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

bahagian bahagian: 5297

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 3965

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A

bahagian bahagian: 6864

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 5876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT

bahagian bahagian: 5160

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D4DADT-DC

bahagian bahagian: 6368

MTFC128GAJAECE-IT

bahagian bahagian: 3266

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53D768M64D4SQ-053 WT:A

bahagian bahagian: 6877

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 3977

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR

bahagian bahagian: 3279

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR

bahagian bahagian: 8535

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

bahagian bahagian: 5833

MTFC8GLWDQ-3L AAT Z

bahagian bahagian: 1183

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D TR

bahagian bahagian: 3190

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC256GBAOANAM-WT ES TR

bahagian bahagian: 235

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8),

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B

bahagian bahagian: 1661

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B2DDNP-DC

bahagian bahagian: 1590

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MTFC32GAOALEA-WT ES TR

bahagian bahagian: 290