Ingatan

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT

bahagian bahagian: 1049

MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3329

MT49H32M9SJ-25:B

bahagian bahagian: 3253

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (32M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,

MTFC16GAKAEEF-AIT TR

bahagian bahagian: 4301

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53D8DBWF-DC

bahagian bahagian: 2337

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

bahagian bahagian: 4274

MT35XU512ABA1G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3693

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

bahagian bahagian: 839

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT25QU02GCBB8E12-0SIT

bahagian bahagian: 1136

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTFC32GAPALNA-AIT ES TR

bahagian bahagian: 417

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 2807

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6014

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT49H8M36SJ-25:B TR

bahagian bahagian: 3271

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A

bahagian bahagian: 5297

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 2669

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT35XU256ABA2G12-0AAT

bahagian bahagian: 1309

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 5995

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC8GAMALNA-AIT TR

bahagian bahagian: 2995

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D

bahagian bahagian: 2246

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 1546

MT53B256M32D1Z91MWC1

bahagian bahagian: 8232

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

bahagian bahagian: 1848

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F256G08EBHAFB16A3WTA

bahagian bahagian: 8035

MTFC32GAKAEJP-AIT TR

bahagian bahagian: 2945

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAMAKAM-WT ES

bahagian bahagian: 2467

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAKAEJP-AIT

bahagian bahagian: 2491

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6089

MTFC64GAPALNA-AAT

bahagian bahagian: 3772

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6741

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC16GAKAEDQ-AIT TR

bahagian bahagian: 38

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

ECF620AAACN-C1-Y3

bahagian bahagian: 7859

MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 4825

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53B4DCNY-DC

bahagian bahagian: 5894

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

ECF440AACCN-P2-Y3

bahagian bahagian: 4092

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F

bahagian bahagian: 5421

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT53D4D1ASQ-DC

bahagian bahagian: 6247