Ingatan

MT53B1DATG-DC

MT53B1DATG-DC

bahagian bahagian: 5784

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

Senarai harapan
MT53D4DBSB-DC

MT53D4DBSB-DC

bahagian bahagian: 6396

Senarai harapan
MT53D4DHSB-DC TR

MT53D4DHSB-DC TR

bahagian bahagian: 9457

Senarai harapan
ECB130ABDCN-Y3

ECB130ABDCN-Y3

bahagian bahagian: 7744

Senarai harapan
MTFC128GAPALNS-AIT ES TR

MTFC128GAPALNS-AIT ES TR

bahagian bahagian: 87

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
MT25QL128ABB8ESF-0AUT

MT25QL128ABB8ESF-0AUT

bahagian bahagian: 5182

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 4017

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT53D2DADS-DC

MT53D2DADS-DC

bahagian bahagian: 6101

Senarai harapan
MT53B512M16D1Z11MWC1
Senarai harapan
MT25QU128ABA8E12-0SIT

MT25QU128ABA8E12-0SIT

bahagian bahagian: 945

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
MT28EW512ABA1HPN-0SIT

MT28EW512ABA1HPN-0SIT

bahagian bahagian: 4150

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR

MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR

bahagian bahagian: 8842

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

bahagian bahagian: 3116

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
MT29F64G08CBABBWPR:B

MT29F64G08CBABBWPR:B

bahagian bahagian: 4327

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

Senarai harapan
MT52L1DAPF-DC

MT52L1DAPF-DC

bahagian bahagian: 5684

Senarai harapan
MT47H256M8EB-25E AIT:C

MT47H256M8EB-25E AIT:C

bahagian bahagian: 3304

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B

bahagian bahagian: 5882

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MTFC128GAJAECE-IT TR

MTFC128GAJAECE-IT TR

bahagian bahagian: 2878

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E

MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6940

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MTFC128GAJAECE-5M AIT TR

MTFC128GAJAECE-5M AIT TR

bahagian bahagian: 2943

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
MT61K256M32JE-13:A TR

MT61K256M32JE-13:A TR

bahagian bahagian: 9998

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.625GHz,

Senarai harapan
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR

MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 9729

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT35XL01GBBA2G12-0AAT

MT35XL01GBBA2G12-0AAT

bahagian bahagian: 3127

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
MT52L8DBQC-DC

MT52L8DBQC-DC

bahagian bahagian: 8236

Senarai harapan
MT25TL512HBA8E12-0AAT

MT25TL512HBA8E12-0AAT

bahagian bahagian: 1114

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan