Ingatan

MTFC128GAPALNA-AIT ES TR

bahagian bahagian: 119

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 1818

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QU128ABB1EW7-CSIT TR

bahagian bahagian: 8495

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

bahagian bahagian: 6105

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC16GAKAEJP-AIT

bahagian bahagian: 39

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES

bahagian bahagian: 670

MT25TL01GHBB8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 1426

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C

bahagian bahagian: 1496

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

bahagian bahagian: 84

MT53D768M64D4SQ-046 WT:A

bahagian bahagian: 6849

MTFC8GAMALNA-AAT ES

bahagian bahagian: 7781

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3167

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

bahagian bahagian: 2118

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 4725

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 2067

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC32GAPALNA-AAT TR

bahagian bahagian: 2960

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M

bahagian bahagian: 8044

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 2750

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

bahagian bahagian: 5438

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53D4DBBP-DC

bahagian bahagian: 2298

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

PN28F128M29EWHA TR

bahagian bahagian: 731

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

EDF8164A3MC-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 8392

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 6938

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC32GAMAKAM-WT ES TR

bahagian bahagian: 9362

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR

bahagian bahagian: 4175

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT41J256M16LY-091G:N TR

bahagian bahagian: 3456

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1GHz,

MT61M256M32JE-12 AAT:A

bahagian bahagian: 7267

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR

bahagian bahagian: 8558

MT25QL128ABB1EW7-CAUT

bahagian bahagian: 5160

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR

bahagian bahagian: 3860

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 2380

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B4DBDT-DC TR

bahagian bahagian: 9055

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT28EW512ABA1LPC-1SIT

bahagian bahagian: 4855

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C

bahagian bahagian: 3234

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT

bahagian bahagian: 7886

MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3618

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,