Ingatan

MT53D4DACB-DC

bahagian bahagian: 2217

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MTFC16GAPALBH-AAT ES TR

bahagian bahagian: 131

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MTFC16GAKAEEF-O1 AIT TR

bahagian bahagian: 66

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MTFC64GAJAECE-5M AIT TR

bahagian bahagian: 3037

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT53D4DADT-DC TR

bahagian bahagian: 9269

MT53D4DARN-DC

bahagian bahagian: 6400

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3269

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT25TL256BBA8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 1310

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D4DBKA-DC

bahagian bahagian: 6424

MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D

bahagian bahagian: 2182

MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR

bahagian bahagian: 3408

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3334

MTFC64GAPALNA-AIT

bahagian bahagian: 7764

MT35XL512ABA2G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3528

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR

bahagian bahagian: 8855

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 1547

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D TR

bahagian bahagian: 3189

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3399

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F2G01ABBGDM79A3WC1

bahagian bahagian: 8062

MT25QL128ABB8E12-0AUT

bahagian bahagian: 5190

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53B128M32D1Z00NEC2

bahagian bahagian: 8171

MT53D8D1ASQ-DC TR

bahagian bahagian: 9753

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3327

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT25QL256ABA1EW7-0SIT

bahagian bahagian: 1231

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D4DDFL-DC

bahagian bahagian: 6467

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 9394

ECF620AAACN-C2-Y3-ES

bahagian bahagian: 7889

MT25QL256ABA8E14-1SIT TR

bahagian bahagian: 676

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 2061

N25Q512A83G12H0F

bahagian bahagian: 2617

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 2341

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 2026

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25TL01GBBB8E12-0AAT

bahagian bahagian: 1128

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 1835

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT41K256M16V00HWC1-N001

bahagian bahagian: 8088

MTFC128GAPALNS-AIT ES

bahagian bahagian: 7389

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),